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氮化鋁基板AlN 氮化硅基板Si3N4 氧化鋁基板 Al2O3
氮化鋁基板AlN具有高熱導(dǎo)率、較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗、優(yōu)良的力學(xué)性能，是電子應(yīng)用領(lǐng)域理想的材料之一。主要應(yīng)用于5G通訊、LED封裝、半導(dǎo)體、功率模塊(IGBT)、影像傳感、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域。
氮化硅(Si3N4)基板是SiC功率器件導(dǎo)熱基板材料首選。具有優(yōu)異的機(jī)械性能,兼顧高彎曲強(qiáng)度和高斷裂韌度,可靠性高,高導(dǎo)熱率(>80W/mK),氮化硅的出色機(jī)械強(qiáng)度有助于釬焊較厚的銅層,載流能力較高。且氮化硅陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第三代半導(dǎo)體襯底SiC晶體接近,使其能夠與SiC晶體材料匹配更穩(wěn)定，主要用于電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力車(HV)功率半導(dǎo)體,特別在800V以上高端新能源汽車中應(yīng)。
氧化鋁基板AlO具有尺寸大、均勻性好、致密性高等特點(diǎn)，適合用于在陶瓷材料上做各種圖形的金屬化。可提供介電常數(shù)更高，適用于薄膜電路和微波射步領(lǐng)域。
氮化鋁基板AlN具有高熱導(dǎo)率、較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗、優(yōu)良的力學(xué)性能，是電子應(yīng)用領(lǐng)域理想的材料之一。主要應(yīng)用于5G通訊、LED封裝、半導(dǎo)體、功率模塊(IGBT)、影像傳感、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域。
氮化硅(Si3N4)基板是SiC功率器件導(dǎo)熱基板材料首選。具有優(yōu)異的機(jī)械性能,兼顧高彎曲強(qiáng)度和高斷裂韌度,可靠性高,高導(dǎo)熱率(>80W/mK),氮化硅的出色機(jī)械強(qiáng)度有助于釬焊較厚的銅層,載流能力較高。且氮化硅陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第三代半導(dǎo)體襯底SiC晶體接近,使其能夠與SiC晶體材料匹配更穩(wěn)定，主要用于電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力車(HV)功率半導(dǎo)體,特別在800V以上高端新能源汽車中應(yīng)。
氧化鋁基板AlO具有尺寸大、均勻性好、致密性高等特點(diǎn)，適合用于在陶瓷材料上做各種圖形的金屬化?？商峁┙殡姵?shù)更高，適用于薄膜電路和微波射步領(lǐng)域。
氮化鋁基板AlN具有高熱導(dǎo)率、較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗、優(yōu)良的力學(xué)性能。主要應(yīng)用于5G通訊、LED封裝、半導(dǎo)體、功率模塊(IGBT)、影像傳感、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域。
氮化硅(Si3N4)基板是SiC功率器件導(dǎo)熱基板材料首選。具有優(yōu)異的機(jī)械性能,兼顧高彎曲強(qiáng)度和高斷裂韌度,可靠性高,高導(dǎo)熱率(>80W/mK),氮化硅的出色機(jī)械強(qiáng)度有助于釬焊較厚的銅層,載流能力較 高。且氮化硅陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第三代半導(dǎo)體襯底SiC晶體接近,使其能夠與SiC晶體材料匹配更穩(wěn)定，主要用于電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力車(HV)功率半導(dǎo)體,特別在800V以上高端新能源汽車中應(yīng)。
氧化鋁基板AlO具有尺寸大、均勻性好、致密性高等特點(diǎn)，適合用于在陶瓷材料上做各種圖形的金屬化?？商峁┙殡姵?shù)更高，適用于薄膜電路和微波射步領(lǐng)域。
可提供尺寸：各種方形、圓型、打孔、異形等。
