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北京特博萬(wàn)德科技
氧化硅片

氧化硅片

北京特博萬(wàn)德加工、銷(xiāo)售 氧化硅片，大量現(xiàn)貨。
尺寸：1,2,3,4,5,6,8,12英寸；定制尺寸、切割小塊；
 晶向： 100、111等；
 氧化層SiO2膜厚： 較?。?5nm、50nm等；常規(guī)100-500nm；厚1um、2um；超厚＞3um~10um；

 表面： 單面拋光雙面氧化、單片拋光單面氧化、雙面拋光雙面氧化；
 類(lèi)型： N型、P型、非摻雜高阻；
 電阻率： ＜0.0015~1等低阻區(qū)、1-10Ω.cm中阻區(qū)、＞1000~10000高阻區(qū)；
 工藝：熱氧化工藝，也可PECVD加工 ；
 應(yīng)用： 刻蝕鈍化層、金屬打線測(cè)試、電性絕緣層、涂膠、器件層等。
 供貨能力：大量現(xiàn)貨、參數(shù)齊全；
 訂制能力： 各種參數(shù)均可訂制。

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商品描述

北京特博萬(wàn)德加工、銷(xiāo)售 氧化硅片，大量現(xiàn)貨。
尺寸：1,2,3,4,5,6,8,12英寸；定制尺寸、切割小塊；
 晶向： 100、111等；
 氧化層SiO2膜厚： 較?。?5nm、50nm等；常規(guī)100-500nm；厚1um、2um；超厚＞3um~10um；

 表面： 單面拋光雙面氧化、單片拋光單面氧化、雙面拋光雙面氧化；
 類(lèi)型： N型、P型、非摻雜高阻；
 電阻率： ＜0.0015~1等低阻區(qū)、1-10Ω.cm中阻區(qū)、＞1000~10000高阻區(qū)；
 工藝：熱氧化工藝，也可PECVD加工 ；
 應(yīng)用： 刻蝕鈍化層、金屬打線測(cè)試、電性絕緣層、涂膠、器件層等。
 供貨能力：大量現(xiàn)貨、參數(shù)齊全；
 訂制能力： 各種參數(shù)均可訂制。




上圖：不同尺寸、不同膜厚的氧化硅片展示圖


下表：技術(shù)參數(shù)規(guī)格

直徑

2英寸

3英寸

4英寸（5英寸）

6英寸

8英寸（12英寸）

導(dǎo)電類(lèi)型

P,N,U n

P,N,U n

P,N,U n

P,N,U n

P,N

晶向

<100>,<111>等

<100>,<111>等

<100>,<111>等

<100>,<111>等

<100>

厚度（um）

200,280,400,500,as required

380,>100,as required

450,500,525,>25,as required

625,650,675,as required

650,700,725,775,as required

表面

單拋雙面氧化,
雙拋雙面氧化

單拋雙面氧化,
雙拋雙面氧化

單拋雙面氧化,
單拋單面氧化,
雙拋雙面氧化

單拋雙面氧化,
雙拋雙面氧化

單拋雙面氧化,
雙拋雙面氧化

氧化層SiO2厚度

300nm,500nm,1um,6um,
as required

100nm,200nm,300nm,2um,
as required

25nm,50nm,100nm,150nm,200nm,300nm,500nm,1um,2um,3um,5um,6um,
as required

100nm,200nm,300nm,500nm,1um,2um,3um,8um,as required

300nm,500nm,2um,as required

電阻率（Ω.cm）

<0.0015~1,1-100,>5000,>10000

<0.0015~1,1-100,>5000,>10000

<0.0015~1,1-100,>5000,>10000

<0.0015~1,1-100,>5000,>10000

<0.0015~1,1-100