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藍(lán)寶石襯底

藍(lán)寶石襯底

北京特博萬德供應(yīng)藍(lán)寶石sapphire晶片。
尺寸:2英寸、4英寸、6英寸和切割小塊;
 C向、M向、R向;單拋、雙拋;
 厚度:100um、280um、300um、350um、430um、500um、650um、1mm;
 闡述:藍(lán)寶石是氧化鋁的單晶,是自然界里硬度第二的材料,僅次于鉆石。藍(lán)寶石具有良好的透光性,高強(qiáng)度、抗碰撞阻力,耐磨性,抗腐蝕及抗高溫高壓,生物相容性,可以做成各種形狀的物體。是制作半導(dǎo)體光電子器件的一種理想襯底材料。
 應(yīng)用:藍(lán)寶石單晶是一種優(yōu)良的多功能材料??梢詮V泛應(yīng)用于工業(yè),國防和科研等多個(gè)領(lǐng)域(如耐高溫紅外窗口)。同時(shí)它也是一種用途廣泛的單晶基片材料。是當(dāng)前藍(lán)、紫、白光發(fā)光二極管(LED)和藍(lán)光激光器(LD)工業(yè)的先選基片(需要在藍(lán)寶石基片上外延氮化鎵膜層),也是重要的超導(dǎo)薄膜基片。除了可以制作Y-系,La-系等高溫超導(dǎo)薄膜外,還可以用于生長新型實(shí)用MgB2(二硼化鎂)超導(dǎo)薄膜。  

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商品描述

北京特博萬德供應(yīng)藍(lán)寶石sapphire晶片。
尺寸:2英寸、4英寸、6英寸和切割小塊;
 C向、M向、R向;單拋、雙拋;
 厚度:100um、280um、300um、350um、430um、500um、650um、1mm;
 闡述:藍(lán)寶石是氧化鋁的單晶,是自然界里硬度第二的材料,僅次于鉆石。藍(lán)寶石具有良好的透光性,高強(qiáng)度、抗碰撞阻力,耐磨性,抗腐蝕及抗高溫高壓,生物相容性,可以做成各種形狀的物體。是制作半導(dǎo)體光電子器件的一種理想襯底材料。
 應(yīng)用:藍(lán)寶石單晶是一種優(yōu)良的多功能材料??梢詮V泛應(yīng)用于工業(yè),國防和科研等多個(gè)領(lǐng)域(如耐高溫紅外窗口)。同時(shí)它也是一種用途廣泛的單晶基片材料。是當(dāng)前藍(lán)、紫、白光發(fā)光二極管(LED)和藍(lán)光激光器(LD)工業(yè)的先選基片(需要在藍(lán)寶石基片上外延氮化鎵膜層),也是重要的超導(dǎo)薄膜基片。除了可以制作Y-系,La-系等高溫超導(dǎo)薄膜外,還可以用于生長新型實(shí)用MgB2(二硼化鎂)超導(dǎo)薄膜。  


晶向

C0001

R1-102

M(10-10)

A11-20

物理性能

C軸均有晶光性,其他軸具有負(fù)光性;C面為平面,最好切。

A稍難切。

M面為階梯鋸齒狀,不好切,容易切裂。

A向硬度明顯高于C向,具體表現(xiàn)在耐磨,耐刮,硬度高;A面為Z型鋸齒狀面,比較好切;

應(yīng)用

C向的藍(lán)寶石基底被用于生長III-V II-VI族沉積薄膜,比如氮化鎵,可以產(chǎn)出藍(lán)色的LED產(chǎn)品、激光二極管以及紅外線探測(cè)儀的應(yīng)用。  
這主要是因?yàn)樗{(lán)寶石晶體沿C軸生長的工藝成熟、成本相對(duì)較低、物化性能穩(wěn)定C面進(jìn)行磊晶的技術(shù)成熟穩(wěn)定。

R向基底生長的不同沉積的硅料外延長晶,被應(yīng)用于微電子集成電路。

此外,在對(duì)外延硅生長制膜的過程中,還可以形成高速的集成電路和壓力傳感器。在制作砣、其它超導(dǎo)組件、高阻電阻器、砷化鎵時(shí)亦可應(yīng)用R型基底生長。

主要用來生長非極性/半極性面GaN外延薄膜,以提高發(fā)光效率。

A向基底產(chǎn)生統(tǒng)一的電容率/介質(zhì),并且高度絕緣被應(yīng)用于混合微電子技術(shù)中。高溫的超導(dǎo)體可由A型基底長晶產(chǎn)生。

加工能力

圖案化藍(lán)寶石基板(Pattern Sapphire Substrate簡(jiǎn)稱PSS)以成長(Growth)或蝕刻(Etching)的方式,在藍(lán)寶石基板上設(shè)計(jì)制作出納米級(jí)特定規(guī)則的微結(jié)構(gòu)圖案藉以控制LED之輸出光形式,并可同時(shí)減少生長在藍(lán)寶石基板上GaN之間的差排缺陷,改善磊晶質(zhì)量,并提升LED內(nèi)部量子效率、增加光萃取效率。

此外,可按客戶要求加工定制藍(lán)寶石棱鏡、表鏡、透鏡、孔件、錐臺(tái)等各種結(jié)構(gòu)件。

性質(zhì)說明

密度

硬度

熔點(diǎn)

折射率(可見光和紅外波段)

透光率(雙拋)

介電常數(shù)

3.98g/cm3

9(mohs)

2053℃

1.762~1.770

≥85%

11.58@300K at C axis(9.4 at A axis