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電子束蒸發(fā)/磁控濺射/RIE等離子刻蝕/PECVD沉積系統(tǒng)
美國Torr托爾公司，成立于1989年，公司的創(chuàng)始人來自美國NASA項(xiàng)目組，有著豐富的經(jīng)驗(yàn)背景。
公司主要產(chǎn)品包括熱蒸發(fā)系統(tǒng)、電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、磁控濺射儀、離子刻蝕機(jī)（RIE ICP-RIE）、等離子化學(xué)氣相沉積PECVD、原子層沉積ALD和離子束沉積IBD等。
托爾公司是專業(yè)的薄膜沉積和刻蝕設(shè)備制造商，服務(wù)于科研和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。在美國，托爾公司的產(chǎn)品深受一些知名大學(xué)像UCLA、Berkeley和Columbia等和很多世界500強(qiáng)公司像IBM、Boeing和Texas Insturments National Semiconductor等的青睞。
公司產(chǎn)品更是遠(yuǎn)銷到歐洲、俄羅斯、中國、日本、韓國等世界各地。特別是托爾公司的蒸發(fā)、濺射和刻蝕聯(lián)合系統(tǒng)，集多種功能于一身，加上價(jià)格優(yōu)勢。托爾公司可以按照客戶要求定制各種多功能聯(lián)合系統(tǒng)。
- 公司簡介
- 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
- 磁控濺射系統(tǒng)
- 反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)
- PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
- 聯(lián)合系統(tǒng)
美國Torr托爾公司，成立于1989年，公司的創(chuàng)始人來自美國NASA項(xiàng)目組，有著豐富的經(jīng)驗(yàn)背景。
公司主要產(chǎn)品包括熱蒸發(fā)系統(tǒng)、電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、磁控濺射儀、離子刻蝕機(jī)（RIE ICP-RIE）、等離子化學(xué)氣相沉積PECVD、原子層沉積ALD和離子束沉積IBD等。
托爾公司是專業(yè)的薄膜沉積和刻蝕設(shè)備制造商，服務(wù)于科研和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。在美國，托爾公司的產(chǎn)品深受一些知名大學(xué)像UCLA、Berkeley和Columbia等和很多世界500強(qiáng)公司像IBM、Boeing和Texas Insturments National Semiconductor等的青睞。
公司產(chǎn)品更是遠(yuǎn)銷到歐洲、俄羅斯、中國、日本、韓國等世界各地。特別是托爾公司的蒸發(fā)、濺射和刻蝕聯(lián)合系統(tǒng)，集多種功能于一身，加上價(jià)格優(yōu)勢。托爾公司可以按照客戶要求定制各種多功能聯(lián)合系統(tǒng)。
美國Torr—蒸發(fā)/濺射薄膜沉積與刻蝕設(shè)備
-------------------真正買得起的高端產(chǎn)品 -- 科研用戶不二的選擇----------------
美國Torr介紹
美國Torr托爾公司位于美國紐約市，成立于1989年，公司的創(chuàng)始人來自美國NASA項(xiàng)目組，有著豐富的經(jīng)驗(yàn)背景。
托爾公司是專業(yè)的薄膜沉積和刻蝕設(shè)備制造商，服務(wù)于科研和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。特別是托爾公司的蒸發(fā)、濺射和刻蝕聯(lián)合系統(tǒng)，集多種功能于一身，且具有價(jià)格優(yōu)勢。托爾公司可以按照客戶要求定制各種多功能聯(lián)合系統(tǒng)。
超過25年的設(shè)計(jì)和制造經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)到使用的便利性，深受廣大用戶的歡迎。在美國，托爾公司的產(chǎn)品深受一些知名大學(xué)像UCLA、Berkeley和Columbia等和很多世界500強(qiáng)公司像IBM、Boeing和Texas Insturments National Semiconductor等的青睞。公司產(chǎn)品更是遠(yuǎn)銷到歐洲、俄羅斯、中國、日本、韓國等世界各地。
公司產(chǎn)品系列
公司主要產(chǎn)品包括熱蒸發(fā)系統(tǒng)、電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、磁控濺射儀、離子刻蝕機(jī)（RIE ICP-RIE）、等離子化學(xué)氣相沉積PECVD、原子層沉積ALD和離子束沉積IBD等。
名稱 | 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)（以EB-4P為例） | |
特點(diǎn) | 完全可定制，結(jié)構(gòu)緊湊，實(shí)用，可靠性高，薄膜沉積均勻，粘附性好，沉積速率可嚴(yán)格控制，污染低，具備多軸旋轉(zhuǎn)能力。 多種材料的連續(xù)沉積，可以完成幾乎所有的金屬材料和介電薄膜的沉積，是一款極高端配置的高真空鍍膜設(shè)備，可滿足用戶各種苛刻要求。腔室采用最佳的D字型設(shè)計(jì)，是美國托爾公司的獨(dú)特設(shè)計(jì)，完全不同于其他的制造商，這種設(shè)計(jì)可以更方便的靠近電子槍，方便更換干鍋和基片樣品。更重要的是這種設(shè)計(jì)可以使腔體小型化，靈活方便，也可以使任何組件和樣品方便進(jìn)出，達(dá)到尺寸和便利性的優(yōu)秀結(jié)合。 | |
應(yīng)用 | 專為實(shí)驗(yàn)室/大學(xué)研發(fā)或小規(guī)模生產(chǎn)設(shè)計(jì)，適用于在納米技術(shù)、光學(xué)、顯微鏡、MBE、功能性和裝飾性涂層等應(yīng)用中沉積幾乎所有的金屬比如Ti, Pd, Ag, Ge, Ni, Ta, Cr, W, Nb, Al, Au, Pt等，以及像SiO2, Ga2O3等氧化材料、磁性材料和電介質(zhì)等。 | |
基本 配置 | 工藝腔室 | 不銹鋼D字型腔室設(shè)計(jì)，前開門，便于靠近蒸發(fā)源、樣品臺和其他所有附件。配有不銹鋼篩網(wǎng)的4”直徑的觀察窗方便監(jiān)測工藝過程。 |
電子束槍 | 4個(gè)4cc水冷干鍋，并配有快門擋板。 | |
樣品臺 | 樣品臺尺寸4” 直徑（更大的樣品臺可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)），可以承載最大4”直徑的樣品或多個(gè)更小及不規(guī)格的樣品，樣品臺可加熱300°C。可以0-20 rpm 旋轉(zhuǎn)。配備快門遮擋防止污染。 | |
電源類型 | 配備X-Y掃描控制器的高壓電源（3kW至15 kW） | |
真空系統(tǒng) | 由機(jī)械泵和抽速450L/S的分子泵組成。這樣的真空組合，可以實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)真空10-6 Torr，極限真空10-7 Torr。放氣閥與真空泵間安全互鎖。 | |
附加裝置 | 帶沉積控制器的石英晶體厚度傳感器，實(shí)時(shí)監(jiān)測沉積速率和膜厚。 具有顯示和讀數(shù)功能的全系列真空計(jì)，測量范圍760 ~ 10-9Torr。 | |
控制系統(tǒng) | 全自動 | |
可選 配置 | 水冷裝置、與樣品傳送系統(tǒng)相匹配的真空進(jìn)樣室、多軸旋轉(zhuǎn)樣品臺（尺寸和高度可調(diào)）、石英燈加熱裝置（從300°C到800°C）、行星式基臺、PLC控制系統(tǒng)、PC控制系統(tǒng)、SQC 310薄膜厚度監(jiān)測器&沉積控制器、機(jī)動快門、大容量坩堝和高功率電源、渦旋干泵、低溫泵送系統(tǒng)、冷陰極或熱陰極電離真空計(jì)、額外的備用法蘭、帶數(shù)字讀數(shù)的質(zhì)量流量控制器、射頻清洗功能、原位掩模更換裝置 | |
類似 產(chǎn)品 | 熱蒸發(fā)系統(tǒng) ：采用電阻加熱蒸發(fā)源材料，沉積膜層。受蒸發(fā)溫度、材料熔點(diǎn)及壽命限制，應(yīng)用有限，成本較低。 CRTE（Compact Research Thermal Evaporation）System：研究用小型熱蒸發(fā)系統(tǒng)。 | |
名稱 | Reactive Ion Etcher System反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng) |
特點(diǎn) | 可以根據(jù)幾何形貌和研究需求處理各種尺寸樣品，刻蝕均勻性＜5% |
應(yīng)用 | 可用于包括氧化物、氮化物、聚合物等薄膜及硅和微電子器件的材料的各向同性蝕刻，適用于研究和開發(fā)，可用于小型試驗(yàn)生產(chǎn)應(yīng)用。 |
基本配置 | 腔體：頂部開口的鋁或不銹鋼腔體（蛤殼式），有觀察窗，尺寸可定制； |
可選配置 | 水冷裝置、尾氣處理裝置、PLC控制系統(tǒng)、PC控制系統(tǒng)、多氣路（質(zhì)量流量控制器）、額外的備用法蘭、耐腐蝕真空泵系統(tǒng)、耐腐蝕全金屬密封質(zhì)量流量控制器、耐腐蝕真空計(jì)、具有數(shù)字顯示和讀數(shù)的隔離式全量程真空計(jì)（用于預(yù)處理的本底壓力測量） |
類似產(chǎn)品 | ICPRIE系統(tǒng)（Inductively Coupled Plasma）：電感耦合等離子體刻蝕，通過在非諧振感應(yīng)線圈上施加耦合射頻電磁場產(chǎn)生等離子體。具備各向異性，可獨(dú)立控制等離子體密度和能量，等離子體相比于傳統(tǒng)等離子體生成方式密度高而氣壓低，能實(shí)現(xiàn)低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕，廣泛應(yīng)用于MEMS制造工藝中。 |
名稱 | PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) |
特點(diǎn) | 完全可定制，沉積速率快，成膜質(zhì)量好，反應(yīng)溫度低。 |
應(yīng)用 | 適用于實(shí)驗(yàn)室/大學(xué)研究或小規(guī)模生產(chǎn)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝行業(yè)、LED、太陽能等領(lǐng)域，可沉積SiO2、Si3N4、非晶硅等半導(dǎo)體化合物薄膜。 |
基本配置 | 腔體：電鍍拋光不銹鋼D型腔體，水冷，全開式前門，有一個(gè)4英寸可視窗口，用不銹鋼網(wǎng)覆蓋來防止沉積。箱體底板連接基板臺。頂板連接進(jìn)氣口、RF射頻噴頭等離子體源。 |
可選配置 | 水冷裝置、密封件、法蘭墊片、維修套件、真空計(jì)、加熱裝置、尾氣處理器、PC全自動/手動/服務(wù)模式、SQC 310薄膜厚度監(jiān)測器&沉積控制器、與樣品傳送系統(tǒng)相匹配的真空進(jìn)樣室。 |
類似產(chǎn)品 | ALD（Atomic Layer Deposition）系統(tǒng)：原子層沉積系統(tǒng)，可以將材料以單原子膜形式逐層沉積，均勻性和一致性極好，應(yīng)用于高級硬盤驅(qū)動器、DRAM、存儲電容器、TFEL顯示器（磷光層）、太陽能電池、MEMS、OLED等領(lǐng)域。 |
名稱 | 電子束蒸發(fā)+熱蒸發(fā)+磁控濺射+離子束輔助聯(lián)合系統(tǒng) | 名稱 | 電子束蒸發(fā)+熱蒸發(fā)+磁控濺射+刻蝕聯(lián)合系統(tǒng) |
特點(diǎn) | 集合多種功能一體，靈活可拓展，可完全按照要求定制，各系統(tǒng)共用電源、水冷、氣柜和真空泵等，極大地節(jié)省空間及成本。 | 特點(diǎn) | 集合多種功能于一體，靈活可拓展，可完全按照要求定制，可選DC和RF蝕刻，各系統(tǒng)共用水冷、氣柜和真空泵等公共設(shè)施，極大地節(jié)省了空間及成本； |
基本配置 | 腔體：電鍍拋光不銹鋼D型腔體，16"× 16"× 20"，有4英寸直徑帶手動擋板的觀察窗； 三位置角度閥； 帶沉積控制器的石英晶體厚度傳感器； 帶數(shù)字讀數(shù)的質(zhì)量流量控制器MFC； 具有顯示和讀數(shù)功能的全范圍真空計(jì)； 定制氣體噴淋裝置； 控制系統(tǒng)：PLC控制系統(tǒng)； | 基本配置 | 腔體：電鍍拋光不銹D型腔體，16"× 16"× 20"，有4英寸直徑帶擋板的觀察窗； 三位8英寸角度閥； 帶沉積控制器的石英晶體厚度傳感器/監(jiān)測器； 2個(gè)帶數(shù)字讀數(shù)的質(zhì)量流量控制器MFC； 定制氣體噴淋裝置； |