北京特博萬德加工、銷售 氧化硅片,大量現(xiàn)貨。
尺寸:1,2,3,4,5,6,8,12英寸;定制尺寸、切割小塊;
晶向: 100、111等;
氧化層SiO2膜厚: 較?。?5nm、50nm等;常規(guī)100-500nm;厚1um、2um;超厚>3um~10um;
表面: 單面拋光雙面氧化、單片拋光單面氧化、雙面拋光雙面氧化;
類型: N型、P型、非摻雜高阻;
電阻率: <0.0015~1等低阻區(qū)、1-10Ω.cm中阻區(qū)、>1000~10000高阻區(qū);
工藝:熱氧化工藝,也可PECVD加工 ;
應(yīng)用: 刻蝕鈍化層、金屬打線測(cè)試、電性絕緣層、涂膠、器件層等。
供貨能力:大量現(xiàn)貨、參數(shù)齊全;
訂制能力: 各種參數(shù)均可訂制。
北京特博萬德加工、銷售 氧化硅片,大量現(xiàn)貨。
尺寸:1,2,3,4,5,6,8,12英寸;定制尺寸、切割小塊;
晶向: 100、111等;
氧化層SiO2膜厚: 較?。?5nm、50nm等;常規(guī)100-500nm;厚1um、2um;超厚>3um~10um;
表面: 單面拋光雙面氧化、單片拋光單面氧化、雙面拋光雙面氧化;
類型: N型、P型、非摻雜高阻;
電阻率: <0.0015~1等低阻區(qū)、1-10Ω.cm中阻區(qū)、>1000~10000高阻區(qū);
工藝:熱氧化工藝,也可PECVD加工 ;
應(yīng)用: 刻蝕鈍化層、金屬打線測(cè)試、電性絕緣層、涂膠、器件層等。
供貨能力:大量現(xiàn)貨、參數(shù)齊全;
訂制能力: 各種參數(shù)均可訂制。
上圖:不同尺寸、不同膜厚的氧化硅片展示圖 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
下表:技術(shù)參數(shù)規(guī)格
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