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北京特博萬德科技
氧化硅片

氧化硅片

北京特博萬德加工、銷售 氧化硅片,大量現(xiàn)貨。
尺寸:1,2,3,4,5,6,8,12英寸;定制尺寸、切割小塊;
 晶向: 100、111等;

 氧化層SiO2膜厚: 較?。?5nm、50nm等;常規(guī)100-500nm;厚1um、2um;超厚>3um~10um;

 表面: 單面拋光雙面氧化、單片拋光單面氧化、雙面拋光雙面氧化;
 類型: N型、P型、非摻雜高阻;
 電阻率: <0.0015~1等低阻區(qū)、1-10Ω.cm中阻區(qū)、>1000~10000高阻區(qū);
 工藝:熱氧化工藝,也可PECVD加工 ;
 應(yīng)用: 刻蝕鈍化層、金屬打線測(cè)試、電性絕緣層、涂膠、器件層等。
 供貨能力:大量現(xiàn)貨、參數(shù)齊全;
 訂制能力: 各種參數(shù)均可訂制。

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商品描述

北京特博萬德加工、銷售 氧化硅片,大量現(xiàn)貨。
尺寸:1,2,3,4,5,6,8,12英寸;定制尺寸、切割小塊;
 晶向: 100、111等;

 氧化層SiO2膜厚: 較?。?5nm、50nm等;常規(guī)100-500nm;厚1um、2um;超厚>3um~10um;

 表面: 單面拋光雙面氧化、單片拋光單面氧化、雙面拋光雙面氧化;
 類型: N型、P型、非摻雜高阻;
 電阻率: <0.0015~1等低阻區(qū)、1-10Ω.cm中阻區(qū)、>1000~10000高阻區(qū);
 工藝:熱氧化工藝,也可PECVD加工 ;
 應(yīng)用: 刻蝕鈍化層、金屬打線測(cè)試、電性絕緣層、涂膠、器件層等。
 供貨能力:大量現(xiàn)貨、參數(shù)齊全;
 訂制能力: 各種參數(shù)均可訂制。









上圖:不同尺寸、不同膜厚的氧化硅片展示圖


下表:技術(shù)參數(shù)規(guī)格

直徑

2英寸

3英寸

4英寸(5英寸)

6英寸

8英寸(12英寸)

導(dǎo)電類型

P,N,U n

P,N,U n

P,N,U n

P,N,U n

P,N

晶向

<100>,<111>

<100>,<111>

<100>,<111>

<100>,<111>

<100>

厚度(um

200,280,400,500,as required

380,>100,as required

450,500,525,>25,as required

625,650,675,as required

650,700,725,775,as required

表面

單拋雙面氧化,
雙拋雙面氧化

單拋雙面氧化,
雙拋雙面氧化

單拋雙面氧化,
單拋單面氧化,
雙拋雙面氧化

單拋雙面氧化,
雙拋雙面氧化

單拋雙面氧化,
雙拋雙面氧化

氧化層SiO2厚度

300nm,500nm,1um,6um,
as required

100nm,200nm,300nm,2um,
as required

25nm,50nm,100nm,150nm,200nm,300nm,500nm,1um,2um,3um,5um,6um,
as required

100nm,200nm,300nm,500nm,1um,2um,3um,8um,as required

300nm,500nm,2um,as required

電阻率(Ω.cm

<0.0015~1,1-100,>5000,>10000

<0.0015~1,1-100,>5000,>10000

<0.0015~1,1-100,>5000,>10000

<0.0015~1,1-100,>5000,>10000

<0.0015~1,1-100