北京特博萬德加工、供應(yīng)各種類型單晶硅片,以及苛刻要求的高質(zhì)量硅片。
生長方式:直拉(CZ)、MCZ等;
尺寸:1”,2”, 3”,4”,5”,6”,8”,12”和特殊非標(biāo)直徑及異形硅片;
表面:單拋、雙拋、研磨等;
晶向:<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向;
厚度:超薄25um、50um、100um、200um等,常用厚度:280um-1mm;超厚:>1mm;
導(dǎo)電類型:N型、P型、本征半絕緣;
電阻率:重?fù)诫s<0.0015Ω.cm,輕摻雜1~100Ω.cm,非摻>1000~>20000Ω.cm;
用途:各種指標(biāo),滿足各種應(yīng)用。如:PVD/CVD/熱氧化/氮化等鍍膜用襯底;磁控濺射生長樣品;分子束外延生長的基底;SEM掃描電鏡、透射電鏡、原子力AFM、拉曼光譜、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底;X射線分析;刻蝕、鍵和、光學(xué)透過、透鏡、器件等;
工藝:可加工氧化、 氮化、鍍金屬膜(銀Ag、金Au、鉑Pt、銅Cu、鈦Ti、鎳Ni);
供貨能力:大量庫存現(xiàn)貨,種類齊全,當(dāng)天發(fā)貨!
加工能力:各種規(guī)格可加工,為客戶量身定制!工期短!
北京特博萬德加工、供應(yīng)各種類型單晶硅片,以及苛刻要求的高質(zhì)量硅片。
生長方式:直拉(CZ)、MCZ等;
尺寸:1”,2”, 3”,4”,5”,6”,8”,12”和特殊非標(biāo)直徑及異形硅片;
表面:單拋、雙拋、研磨等;
晶向:<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向;
厚度:超薄25um、50um、100um、200um等,常用厚度:280um-1mm;超厚:>1mm;
導(dǎo)電類型:N型、P型、本征半絕緣;
電阻率:重?fù)诫s<0.0015Ω.cm,輕摻雜1~100Ω.cm,非摻>1000~>20000Ω.cm;
用途:各種指標(biāo),滿足各種應(yīng)用。如:PVD/CVD/熱氧化/氮化等鍍膜用襯底;磁控濺射生長樣品;分子束外延生長的基底;SEM掃描電鏡、透射電鏡、原子力AFM、拉曼光譜、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底;X射線分析;刻蝕、鍵和、光學(xué)透過、透鏡、器件等;
工藝:可加工氧化、 氮化、鍍金屬膜(銀Ag、金Au、鉑Pt、銅Cu、鈦Ti、鎳Ni);
供貨能力:大量庫存現(xiàn)貨,種類齊全,當(dāng)天發(fā)貨!
加工能力:各種規(guī)格可加工,為客戶量身定制!工期短!
單晶硅棒 | 1-12寸單晶硅片 | 超薄硅片 | 超厚硅片 | ||||
生長方式 | 區(qū)熔(FZ)、中子輻照區(qū)熔(NTDFZ)等 | ||||
直徑 | 2英寸、3英寸 | 4英寸、5英寸 | 6英寸 | 8英寸 | 12英寸 |
晶向 | <100><111><110> | <100><111><110>特殊晶向 | <100><111><110> | <100><111><110> | <100> |
厚度(um) | 25um,50,280,400,500,1000,2000, | 20um,100um, 200,450,500,525,1000,2000,3000,5000, | 625,650,675,1000,1500, | 650,700,725,1200,1500, | 700,775,as required |
電阻率(Ω.cm) | 0.001,>1,>100,>1000,>10000,>20000 | 0.001,>1,>100,>1000,>10000,>20000 | 0.001,>1,>100,>1000,>10000,>20000 | 0.001 ,>1,>100,>1000,>10000 | >1,>100,>1000,>10000 |
TTV(um) | <10,<5,更小 | <10,<5,更小 | <10,<5,更小 | <10,<5,更小 | <10,<5,更小 |
Bow(um) | <20 | <30 | <30 | <40 | <40 |
Warp(um) | <30 | <40 | <40 | <50 | <50 |
粗糙度(n m) | <0.2,0.5 | <0.2,0.5 | <0.2,0.5 | <0.2,0.5 | <0.2,0.5 |
顆粒度 | <20@0.3as required | <20@0.3as required | <20@0.3as required | <20@0.3,as required | <20@0.3,as required |