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低應(yīng)力氮化硅片

低應(yīng)力氮化硅片

北京特博萬(wàn)德加工、銷(xiāo)售 氮化硅片,大量現(xiàn)貨。
尺寸: 2,3,4,6英寸;
 工藝: LPCVD;LPCVD具有均勻性好,應(yīng)力低,成膜質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn),成本也較高;
 氮化厚度:50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um;
 表面:?jiǎn)蚊鎾伖怆p面氮化、單面拋光單面氮化、雙面拋光雙面氮化;
 硅片厚度:200um,500um等多種厚度;
 應(yīng)用:鈍化膜、絕緣層、擴(kuò)散掩膜。硅中的氮能提高硅單晶的強(qiáng)度,防止硅片翹曲,并能抑制微缺陷形成。用于半導(dǎo)體光刻、納米壓印、PVD/CVD鍍膜、MEMS、半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域;
 供貨能力:大量現(xiàn)貨、參數(shù)齊全;當(dāng)天出庫(kù);
 訂制能力: 各種參數(shù)均可訂制。

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商品描述

北京特博萬(wàn)德加工、銷(xiāo)售 氮化硅片,大量現(xiàn)貨。
尺寸: 2,3,4,6英寸;
 工藝: LPCVD;LPCVD具有均勻性好,應(yīng)力低,成膜質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn),成本也較高;
 氮化厚度:50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um;
 表面:?jiǎn)蚊鎾伖怆p面氮化、單面拋光單面氮化、雙面拋光雙面氮化;
 硅片厚度:200um,500um等多種厚度;
 應(yīng)用:鈍化膜、絕緣層、擴(kuò)散掩膜。硅中的氮能提高硅單晶的強(qiáng)度,防止硅片翹曲,并能抑制微缺陷形成。用于半導(dǎo)體光刻、納米壓印、PVD/CVD鍍膜、MEMS、半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域;
 供貨能力:大量現(xiàn)貨、參數(shù)齊全;當(dāng)天出庫(kù);
 訂制能力: 各種參數(shù)均可訂制。













上圖:不同膜厚的氮化硅片展示圖


下表:技術(shù)參數(shù)規(guī)格

直徑

2英寸

3英寸

4英寸

6英寸

導(dǎo)電類(lèi)型

P,N

P,N

P,N,U n

P,N,U n

晶向

<100>

<100>

<100>

<100>

厚度(um

400,500 as required

200,380 as required

200,300,450,380,500,525 as required

625 as required

表面

單拋雙面氮化,

雙拋雙面氮化

單拋雙面氮化,

雙拋雙面氮化

單拋雙面氮化,

單拋單面氮化,

雙拋雙面氮化

單拋雙面氮化

氮化層SiN厚度

200nm,500nm,1um as required

>50nm as required

50nm,100nm,150nm,200nm,300nm,400nm,500nm,800nm,1um  as required

100nm,120nm  as required

電阻率(Ω.cm

<0.0015~1,1-100,

高阻>5000,>10000

<0.0015~1,1-100

<0.0015~1,1-100,

高阻>5000,>10000

<0.0015~1,1-100,

高阻>5000