北京特博萬(wàn)德加工、銷(xiāo)售 氮化硅片,大量現(xiàn)貨。
尺寸: 2,3,4,6英寸;
工藝: LPCVD;LPCVD具有均勻性好,應(yīng)力低,成膜質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn),成本也較高;
氮化厚度:50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um;
表面:?jiǎn)蚊鎾伖怆p面氮化、單面拋光單面氮化、雙面拋光雙面氮化;
硅片厚度:200um,500um等多種厚度;
應(yīng)用:鈍化膜、絕緣層、擴(kuò)散掩膜。硅中的氮能提高硅單晶的強(qiáng)度,防止硅片翹曲,并能抑制微缺陷形成。用于半導(dǎo)體光刻、納米壓印、PVD/CVD鍍膜、MEMS、半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域;
供貨能力:大量現(xiàn)貨、參數(shù)齊全;當(dāng)天出庫(kù);
訂制能力: 各種參數(shù)均可訂制。
北京特博萬(wàn)德加工、銷(xiāo)售 氮化硅片,大量現(xiàn)貨。
尺寸: 2,3,4,6英寸;
工藝: LPCVD;LPCVD具有均勻性好,應(yīng)力低,成膜質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn),成本也較高;
氮化厚度:50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um;
表面:?jiǎn)蚊鎾伖怆p面氮化、單面拋光單面氮化、雙面拋光雙面氮化;
硅片厚度:200um,500um等多種厚度;
應(yīng)用:鈍化膜、絕緣層、擴(kuò)散掩膜。硅中的氮能提高硅單晶的強(qiáng)度,防止硅片翹曲,并能抑制微缺陷形成。用于半導(dǎo)體光刻、納米壓印、PVD/CVD鍍膜、MEMS、半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域;
供貨能力:大量現(xiàn)貨、參數(shù)齊全;當(dāng)天出庫(kù);
訂制能力: 各種參數(shù)均可訂制。
上圖:不同膜厚的氮化硅片展示圖 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
下表:技術(shù)參數(shù)規(guī)格
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