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進口soi硅片

進口soi硅片

英國ICEMOSTECH的高品質(zhì)SOI,DSOI,TSOI,CSOI,THIN SOI,SISI,TSV。
品牌soi質(zhì)量高,品質(zhì)有保障,能用于各種高要求用途。品牌取得多個證書,如:ISO9001,NASI,IATF 16949.
SOI wafer尺寸:4”, 5”, 6”,8";
 底層厚度:>200um;頂層厚度:>2um;
 導(dǎo)電類型:N-Type、P-Type、非摻高阻;
為滿足更多客戶要求,我們也提供超薄頂層和超薄絕緣層;
 頂層厚度:70nm、145nm、220nm、340nm等;
 絕緣層厚度:145nm、500nm等;
歡迎您來電咨詢更詳細(xì)的產(chǎn)品信息!

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商品描述

英國ICEMOSTECH的高品質(zhì)SOI,DSOI,TSOI,CSOI,THIN SOI,SISI,TSV。
品牌soi質(zhì)量高,品質(zhì)有保障,能用于各種高要求用途。品牌取得多個證書,如:ISO9001,NASI,IATF 16949.
SOI wafer尺寸:4”, 5”, 6”,8";
 底層厚度:>200um;頂層厚度:>2um;
 導(dǎo)電類型:N-Type、P-Type、非摻高阻;
為滿足更多客戶要求,我們也提供超薄頂層和超薄絕緣層;
 頂層厚度:70nm、145nm、220nm、340nm等;
 絕緣層厚度:145nm、500nm等;
歡迎您來電咨詢更詳細(xì)的產(chǎn)品信息!


                                                

 1-    Bonded SOI wafer (絕緣硅上鍵合硅片)

       For 4”(100mm, 5”125mm, 6”150mm
—— Handle wafer minimum 300um maximum 1000um
—— Buried Oxide, minimum 0.1 um, maximum 4 um
—— Device layer minimum 2 um, max 500 um.(幾十至幾百納米for6英寸)

 For 8"200mm
—— Handle thickness minimum 500um and maximum 675um,
—— Buried Oxide minimum 0.1 um, maximum 4 um
—— Device layer minimum 5 um, maximum 500 um(幾十至幾百納米)

2-    Si-Si direct wafer bonding (replacement for epi) -硅直接鍵合,可替代外延片
      100mm, 125mm, 150mm and 200mm, thickness as specified above.

3-    Engineered SOI, Double SOI (DSOI), Trench Isolation SOI (dielectric isolation),
      Cavity SOI (for pressure sensor, gyro and accelerometer sensor, microfludic etc.)   and finally Through Silicon Via (TSV)   
—— Cavity SOI- Bonded SOI or Silicon DWB wafers with cavities performed within the wafer
—— Multiple SOI 2 or 3 or more layers of SOI designed around your process
—— Structured wafers silicon wafers or SOI with buried electrode layers, vias, interconnect already incorporated

4-     SOI + Trench & Refill  Features
a.  Significant die shrink compared to conventional dielectric isolation(DI) or junction isolation 
b.  Bulk quality top silicon layer 
c.  Total device-to-device isolation 
d.  Lower substrate capacitance than bulk 
e.  Fully flexible specification on SOI, Trench and refill parameters

5-   Superjunction MOSFET

Parameter Parameter

Specification Range

Wafer Diameter

100, 125, 150 mm

200 mm

Handle Layer Specifications

Handle Thickness

200–1000 μm

500-750 μm

Handle Thickness Tolerance

±5 μm

Stack Thickness

≥280 – ≤1250 μm

Dopant Type

N or P

Doping

N type: Phos, Red Phos, Sb & As
P type: Boron

Resistivity

≤0.001 – ≥10000 ?-cm

Growth Method

CZ, MCZ or FZ

Crystal Orientation

<100>, <111> or <110>

Backside Finish

Lapped/Etched or Polished

Buried Oxide Specifications

Thermally Oxidised Buried Oxide Thickness

0.2 – 5.0 μm grown on Handle, Device or both wafers

 

Device Layer Specifications

Device Layer Thickness

≥1.5 μm

5-300 μm

Tolerance

± 0.5 μm

±0.8 μm

Dopant Type

N or P

Doping

N type: Phos, Red Phos, Sb & As
P type: Boron

Resistivity

≤0.001 – ≥10000 ?-cm

Growth Method

CZ, MCZ or FZ

Crystal Orientation

<100>, <111> or <110>

Buried Layer Implant

N type or P type

SOI應(yīng)用優(yōu)勢

SOI高速特性

微處理器,高速通信,三維圖象處理,先進多媒體

SOI低壓低功耗特點

移動計算機,移動電話,便攜式電子設(shè)備,射頻集成靈巧功率器件以及其它要求功耗低、散熱快的領(lǐng)域,如單芯片系統(tǒng)SOC,微小衛(wèi)星等

SOI應(yīng)用于惡劣環(huán)境

高溫器件,高壓器件,衛(wèi)星或其它空間應(yīng)用,武器控制系統(tǒng)等

SOI光通信和MEMS應(yīng)用

作為一種結(jié)構(gòu)材料,可制作硅基集成光電器件,應(yīng)用于高速寬帶互聯(lián)網(wǎng)和其它光網(wǎng)絡(luò)的接口。此外,SOI圓片還廣泛應(yīng)用于制作微機電系統(tǒng)(MEMS)器件,如傳感器