英國ICEMOSTECH的高品質(zhì)SOI,DSOI,TSOI,CSOI,THIN SOI,SISI,TSV。
品牌soi質(zhì)量高,品質(zhì)有保障,能用于各種高要求用途。品牌取得多個證書,如:ISO9001,NASI,IATF 16949.
SOI wafer尺寸:4”, 5”, 6”,8";
底層厚度:>200um;頂層厚度:>2um;
導(dǎo)電類型:N-Type、P-Type、非摻高阻;
為滿足更多客戶要求,我們也提供超薄頂層和超薄絕緣層;
頂層厚度:70nm、145nm、220nm、340nm等;
絕緣層厚度:145nm、500nm等;
歡迎您來電咨詢更詳細(xì)的產(chǎn)品信息!
英國ICEMOSTECH的高品質(zhì)SOI,DSOI,TSOI,CSOI,THIN SOI,SISI,TSV。
品牌soi質(zhì)量高,品質(zhì)有保障,能用于各種高要求用途。品牌取得多個證書,如:ISO9001,NASI,IATF 16949.
SOI wafer尺寸:4”, 5”, 6”,8";
底層厚度:>200um;頂層厚度:>2um;
導(dǎo)電類型:N-Type、P-Type、非摻高阻;
為滿足更多客戶要求,我們也提供超薄頂層和超薄絕緣層;
頂層厚度:70nm、145nm、220nm、340nm等;
絕緣層厚度:145nm、500nm等;
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1- Bonded SOI wafer (絕緣硅上鍵合硅片) | |||
For 4”(100mm), 5”(125mm), 6”(150mm) | For 8"(200mm) | ||
2- Si-Si direct wafer bonding (replacement for epi) 硅-硅直接鍵合,可替代外延片 | |||
3- Engineered SOI, Double SOI (DSOI), Trench Isolation SOI (dielectric isolation), | |||
4- SOI + Trench & Refill Features | |||
5- Superjunction MOSFET | |||
Parameter Parameter | Specification Range | ||
Wafer Diameter | 100, 125, 150 mm | 200 mm | |
Handle Layer Specifications | |||
Handle Thickness | 200–1000 μm | 500-750 μm | |
Handle Thickness Tolerance | ±5 μm | ||
Stack Thickness | ≥280 – ≤1250 μm | ||
Dopant Type | N or P | ||
Doping | N type: Phos, Red Phos, Sb & As | ||
Resistivity | ≤0.001 – ≥10000 ?-cm | ||
Growth Method | CZ, MCZ or FZ | ||
Crystal Orientation | <100>, <111> or <110> | ||
Backside Finish | Lapped/Etched or Polished | ||
Buried Oxide Specifications | |||
Thermally Oxidised Buried Oxide Thickness | 0.2 – 5.0 μm grown on Handle, Device or both wafers |
| |
Device Layer Specifications | |||
Device Layer Thickness | ≥1.5 μm | 5-300 μm | |
Tolerance | ± 0.5 μm | ±0.8 μm | |
Dopant Type | N or P | ||
Doping | N type: Phos, Red Phos, Sb & As | ||
Resistivity | ≤0.001 – ≥10000 ?-cm | ||
Growth Method | CZ, MCZ or FZ | ||
Crystal Orientation | <100>, <111> or <110> | ||
Buried Layer Implant | N type or P type | ||
SOI應(yīng)用優(yōu)勢 | |||
SOI高速特性 | 微處理器,高速通信,三維圖象處理,先進多媒體 | ||
SOI低壓低功耗特點 | 移動計算機,移動電話,便攜式電子設(shè)備,射頻集成靈巧功率器件以及其它要求功耗低、散熱快的領(lǐng)域,如單芯片系統(tǒng)SOC,微小衛(wèi)星等 | ||
SOI應(yīng)用于惡劣環(huán)境 | 高溫器件,高壓器件,衛(wèi)星或其它空間應(yīng)用,武器控制系統(tǒng)等 | ||
SOI光通信和MEMS應(yīng)用 | 作為一種結(jié)構(gòu)材料,可制作硅基集成光電器件,應(yīng)用于高速寬帶互聯(lián)網(wǎng)和其它光網(wǎng)絡(luò)的接口。此外,SOI圓片還廣泛應(yīng)用于制作微機電系統(tǒng)(MEMS)器件,如傳感器 |