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北京特博萬德科技
外延硅片

外延硅片

北京特博萬德提供3-8英寸硅外延片。
摻雜類型和晶向:P100,P111,N100,N111;
 類型:P/P++, N/N++,N/N+, N/N+/N++,N/P/P,P/N/N+;
 外延厚度:0.1-100um;
 外延電阻率:0.001-100Ω.cm;
可加工定制,詳情請電聯(lián)!

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商品描述

北京特博萬德提供3-8英寸硅外延片。
摻雜類型和晶向:P100,P111,N100,N111;
 類型:P/P++, N/N++,N/N+, N/N+/N++,N/P/P,P/N/N+;
 外延厚度:0.1-100um;
 外延電阻率:0.001-100Ω.cm;
可加工定制,詳情請電聯(lián)!


一、硅外延的定義

硅外延工藝實(shí)際上是一種薄層的單晶生長技術(shù),它是在一定的條件下,在硅單晶的襯底片上,沿單晶的結(jié)晶方向生長一層具有一定導(dǎo)電類型,電阻率、厚度、晶格結(jié)構(gòu)與體單晶一致的新單晶層。

二、硅外延生長工藝的優(yōu)點(diǎn)

1、 生長溫度比它本身的熔點(diǎn)要低;
2、 可以獲得純度高、缺陷少的單晶薄層;
3、 由于摻雜工藝靈活,可以獲得多種結(jié)構(gòu)的單晶或多層外延便于器件參數(shù)結(jié)構(gòu)的調(diào)整。

三、硅外延工藝的分類

1、 按結(jié)構(gòu)分類

   同質(zhì)外延——即外延層在結(jié)構(gòu)與性質(zhì)上與襯底材料相同,例如N/N+,P/P+;
   異質(zhì)外延——即外延層在結(jié)構(gòu)與性質(zhì)上與襯底材料不同,例:SOI(絕緣襯底上外延)。
2、 按外延層的厚度和電阻率分類
  厚度和電阻率均可按客戶要求精確控制。
3、 按外延生長方法分類
  直接法——不經(jīng)過中間化學(xué)反應(yīng),硅原子直接從源轉(zhuǎn)移到襯底片上形成外延層,例:真空濺射法,分子束外延(物理法)液相外延等等;
  間接法——通過還原或分解硅化合物得到所需要的硅原子,然后在襯底上淀積形成外延層,我們的硅外延就屬于間接生長工藝。

四、硅外延的基本原理

硅化學(xué)氣相沉積外延生長其原理是在高溫(>1100℃)的襯底上輸送硅化合物(SiHCl3SiCl4SiH2Cl2等)利用氫(H2)在襯底上通過還原反應(yīng)析出硅方法。
氣相外延生長過程包括:
1)反應(yīng)劑(SiCl4SiHCl3+H2)氣體混合物質(zhì)量轉(zhuǎn)移到襯底表面;
2)吸收反應(yīng)劑分子在表面上(反應(yīng)物分子穿過附面層向襯底表面遷移);
3)在表面上進(jìn)行反應(yīng)得到硅原子及其副產(chǎn)物;
4)釋放出副產(chǎn)物分子;
5)副產(chǎn)物分子向主氣流質(zhì)量轉(zhuǎn)移;(排外)
6)硅原子先在生長層表面形成原子集團(tuán)——晶核,接著加接到晶核上,使晶核增大,形成新的晶面。

Certificate

Substrate

Epi

Diameter (mm)

Φ76.2+/-0.5

Type/Dopant

N/PH

Type/Dopant

P/Boron

Epi ResistivityΩ.cm 

0.003-0.005

Orientation

<111>

Epi Thickness(μm)

25-30

Thicknessμm )

355-407

Surface

Good

ResistivityΩ.cm 

0.004-0.008

Qty

25PCS