国产成人精选视频在线观看_WWW.-级毛片线天内射视视_久久精品人成免费_亚洲综合一区国产精品_漂亮人妻洗澡被公强_国产AV丝袜旗袍无码_中文字幕无码AV波多野吉衣_老司机深夜18禁污污网站

 
  • 歡迎光臨 北京特博萬德科技有限公司 企業(yè)官網(wǎng)!
簡體中文
北京特博萬德科技
砷化鎵晶片GaAs

砷化鎵晶片GaAs

北京特博萬德科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)定制高質(zhì)量砷化鎵襯底片GaAs wafer、多晶棒。
尺寸:1 " ,2" ,3",4",6" ;
 晶向:(100),(111)和偏2°、4°、6°、10°、16°等各種偏角;
 類型:N- type 摻Si, P- type 摻Zn,半絕緣Undope;
 厚度:100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um;

 提供“激光領(lǐng)域” 用高質(zhì)量 超薄雙拋GaAs ;提供光學(xué)透過可用的雙拋半絕緣GaAs ;
 提供高質(zhì)量低位錯的EPD<500、<300、<100、<50 的高質(zhì)量LD級外延用GaAs;
 工藝加工:鍍增透膜、鍍金等歐姆接觸、砷化鎵電池、砷化鎵外延(PN結(jié)、LED各色外延、LD激光器)。


0.00
0.00
  
商品描述

北京特博萬德科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)定制高質(zhì)量砷化鎵襯底片GaAs wafer、多晶棒。
尺寸:1 " ,2" ,3",4",6" ;
 晶向:(100),(111)和偏2°、4°、6°、10°、16°等各種偏角;
 類型:N- type 摻Si, P- type 摻Zn,半絕緣Undope;
 厚度:100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um;

 提供“激光領(lǐng)域” 用高質(zhì)量 超薄雙拋GaAs ;提供光學(xué)透過可用的雙拋半絕緣GaAs ;
 提供高質(zhì)量低位錯的EPD<500、<300、<100、<50 的高質(zhì)量LD級外延用GaAs;
 工藝加工:鍍增透膜、鍍金等歐姆接觸、砷化鎵電池、砷化鎵外延(PN結(jié)、LED各色外延、LD激光器)。



Parameter

Guaranteed / Actual Values

UOM

Parameter

Guaranteed / Actual Values

UOM

Growth Method:

VGF

 

Growth Method:

VGF

 

Conduct Type:

S-I-N

 

Conduct Type:

S-I-N

 

Dopant:

Undoped

 

Dopant:

Undoped

 

Diameter:

50.7± 0.1

mm

Diameter:

100.0± 0.2

mm

Orientation:

(100)± 0.50

 

Orientation:

(100)± 0.30

 

OF location/length:

EJ [ 0-1-1]± 0.50/16±1

 

OF location/length:

EJ [ 0-1-1]± 0.50/32.5±1

 

IF location/length:

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1

 

IF location/length:

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/18±1

 

Resistivity:

Min: 1.0 E8

Max: 2.2 E8

?·cm

Resistivity:

Min: 1.5 E8

Max: 2.0 E8

?·cm

Mobility:

Min: 4500

Max: 5482

cm2/v.s

Mobility:

Min: 4832

Max: 4979

cm2/v.s

EPD:

Min: 700

Max: 800

/ cm2

EPD:

Min: 600

Max: 700

/ cm2

Thickness:

350± 20

μm

Thickness:

625± 25

μm

Edge Rounding:

0.25

mmR

Edge Rounding:

0.375

mmR

Laser Marking:

N/A

 

 

 

 

TTV/TIR:

Max: 10

μm

TTV/TIR:

Max: 3

μm

BOW:

Max: 10

μm

BOW:

Max: 4

μm

Warp:

Max: 10

μm

Warp:

Max: 5

μm

Partical  Count:

50/wafer(for particle>0.3um)

 

Partical  Count:

100/wafer(for particle>0.3um)

 

Surface Finish– front:

Polished  

 

Surface Finish– front:

Polished  

 

Surface Finish –back:

Etched

 

Surface Finish –back:

Polished

 

Epi-Ready:

Yes

 

Epi-Ready:

Yes

Parameter

Actual Values

UOM

Parameter

Guaranteed / Actual Values

UOM

Growth Method

VGF

 

Growth Method

VGF

 

Conduct Type

S-C-N

 

Conduct Type

S-C-P

 

Dopant

GaAs-Si

 

Dopant

GaAs-Zn

 

Diameter

50.7± 0.1

mm

Diameter

76.2± 0.3

mm

Orientation

(100) 20 ± 0.50 off toward(011)

 

Orientation

(100)± 0.50

 

OF location/length

EJ [ 0-1-1]± 0.50/16±1

  

OF location/length

EJ [ 0-1-1]± 0.50/22±1

  

IF location/length

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/ 7±1

         

IF location/length

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/12±1

         

Ingot CC

Min: 0.518 E  Max: 1.7 E+18

/cm3

Ingot CC

Min: 5.1 E+19  Max: 5.8 E+19

/cm3

Resistivity

Min: 1.9 E-3  Max:6.1E-3

?·cm

Resistivity

Min: N/A

?·cm

Mobility

Min: 1913    Max:2616

cm2/v.s

Mobility

Min: 71    Max: 72

cm2/v.s

EPD

Min:50      Max: 100

/ cm2

EPD

Min: 600   Max: 800

/cm2

Thickness

350±20

μm

Thickness

625±20

μm

Edge Rounding

0.25

mmR

Edge Rounding

0.25

mmR

Laser Marking

N/A

 

Laser Marking

Front side

 

TTV

10

μm

TTV

15

μm

TIR

10

μm

TIR

15

μm

BOW

10

μm

BOW

15

μm

Warp

10

μm

Warp

15

μm

Surface Finish– front

Polished   

 

Surface Finish– front

Polished   

 

Surface Finish –back

Etched

 

Surface Finish –back

Polished  

 

Partical Count

50/ wafer for particle0.3μm)

 

Partical Count

50/ wafer for particle0.3μm2)

 

Epi-Ready

Yes

 

Epi-Ready

Yes