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北京特博萬德科技
砷化銦晶片InAs

砷化銦晶片InAs

北京特博萬德供應(yīng)砷化銦InAs 晶片。
尺寸:2,3英寸;
 闡述:
InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效應(yīng)和小的電阻溫度系數(shù),是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
InAs的發(fā)射波長3.34μm,在InAs襯底上能生長晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纖通信用的激光器和探測(cè)器。

 應(yīng)用:InAs可以生長InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料,制作波長2-12μm的紅外發(fā)光器件。

用InAs單晶襯底還可以外延生長InAsPSb超晶格結(jié)構(gòu)材料,制作中紅外量子級(jí)聯(lián)激光器。這些紅外器件在氣體檢測(cè)、低損耗光纖通信領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景。此外,InAs單晶具有很高的電子遷移率,是一種制作Hall器件的理想材料。



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商品描述

北京特博萬德供應(yīng)砷化銦InAs 晶片。
尺寸:2,3英寸;
 闡述:
InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效應(yīng)和小的電阻溫度系數(shù),是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
InAs的發(fā)射波長3.34μm,在InAs襯底上能生長晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纖通信用的激光器和探測(cè)器。

 應(yīng)用:InAs可以生長InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料,制作波長2-12μm的紅外發(fā)光器件。

用InAs單晶襯底還可以外延生長InAsPSb超晶格結(jié)構(gòu)材料,制作中紅外量子級(jí)聯(lián)激光器。這些紅外器件在氣體檢測(cè)、低損耗光纖通信領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景。此外,InAs單晶具有很高的電子遷移率,是一種制作Hall器件的理想材料。




Growth Method

VGF

Type/Dopant

Un

N/S/Sn

P/Zn

Diameter

2inch/3inch/4inch

Orientation

100/111

Surface

Polished/Etched

Epi-ready

Yes

Package

single

 

Size

2inch

3inch

4inch

Diametermm

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

Thickness(um)

500±25

600±25

800±25

OF(mm)

16±2

22±2

32.5±2

IF(mm)

8±2

12±2

18±2

TTV(um)

<10

<10

<15

BOW(um)

<10

<10

<15

Warp(um)

<15

<15

<15

 

Electrical parameters

Dopant

Conduct Type

Ingot CC(/cm3)

Mobility (cm2/v.s)

Resistivity (?·cm)

EPD(/cm3)

Undoped

N

5E16

3E4

/

<5E4

S-InAs

N

1~10E17

0.6~2E4

/

<5E4

Sn-InAs

N

5~20E17

(0.7~2) E4

/

<5E4

Zn-InAs

P

(1~10E18

100~400

/

<5E4