北京特博萬德供應(yīng)砷化銦InAs 晶片。
尺寸:2,3英寸;
闡述:InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效應(yīng)和小的電阻溫度系數(shù),是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
InAs的發(fā)射波長3.34μm,在InAs襯底上能生長晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纖通信用的激光器和探測(cè)器。
應(yīng)用:InAs可以生長InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料,制作波長2-12μm的紅外發(fā)光器件。
用InAs單晶襯底還可以外延生長InAsPSb超晶格結(jié)構(gòu)材料,制作中紅外量子級(jí)聯(lián)激光器。這些紅外器件在氣體檢測(cè)、低損耗光纖通信領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景。此外,InAs單晶具有很高的電子遷移率,是一種制作Hall器件的理想材料。
北京特博萬德供應(yīng)砷化銦InAs 晶片。
尺寸:2,3英寸;
闡述:InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效應(yīng)和小的電阻溫度系數(shù),是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
InAs的發(fā)射波長3.34μm,在InAs襯底上能生長晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纖通信用的激光器和探測(cè)器。
應(yīng)用:InAs可以生長InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料,制作波長2-12μm的紅外發(fā)光器件。
用InAs單晶襯底還可以外延生長InAsPSb超晶格結(jié)構(gòu)材料,制作中紅外量子級(jí)聯(lián)激光器。這些紅外器件在氣體檢測(cè)、低損耗光纖通信領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景。此外,InAs單晶具有很高的電子遷移率,是一種制作Hall器件的理想材料。
Growth Method |
VGF |
||||||
Type/Dopant |
Un |
N/S/Sn |
P/Zn |
||||
Diameter |
2inch/3inch/4inch |
||||||
Orientation |
100/111 |
||||||
Surface |
Polished/Etched |
||||||
Epi-ready |
Yes |
||||||
Package |
single |
||||||
|
|||||||
Size |
2inch |
3inch |
4inch |
||||
Diameter(mm) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
||||
Thickness(um) |
500±25 |
600±25 |
800±25 |
||||
OF(mm) |
16±2 |
22±2 |
32.5±2 |
||||
IF(mm) |
8±2 |
12±2 |
18±2 |
||||
TTV(um) |
<10 |
<10 |
<15 |
||||
BOW(um) |
<10 |
<10 |
<15 |
||||
Warp(um) |
<15 |
<15 |
<15 |
||||
|
|||||||
Electrical parameters |
|||||||
Dopant |
Conduct Type |
Ingot CC(/cm3) |
Mobility (cm2/v.s) |
Resistivity (?·cm) |
EPD(/cm3) |
||
Undoped |
N |
5E16 |
>3E4 |
/ |
<5E4 |
||
S-InAs |
N |
(1~10)E17 |
(0.6~2)E4 |
/ |
<5E4 |
||
Sn-InAs |
N |
(5~20)E17 |
(0.7~2) E4 |
/ |
<5E4 |
||
Zn-InAs |
P |
(1~10)E18 |
100~400 |
/ |
<5E4 |