北京特博萬德供應2寸和3寸的銻化銦InSb晶片。
InSb單晶電子遷移率高,是良好的紅外探測器件、霍耳器件、磁阻器件的襯底材料。例如,對應于大氣透射窗口3~5μm波段的成像器件和InSb焦平面陣列器件。
另外在電荷注入器件方面,InSb器件的位數(shù)已達128×128陣列。3~5μm波段InSb光伏探測器作為敏感元件組成的混成焦平面陣列也得到很大發(fā)展,并已作成元數(shù)較多的兩維陣列。
北京特博萬德供應2寸和3寸的銻化銦InSb晶片。
InSb單晶電子遷移率高,是良好的紅外探測器件、霍耳器件、磁阻器件的襯底材料。例如,對應于大氣透射窗口3~5μm波段的成像器件和InSb焦平面陣列器件。
另外在電荷注入器件方面,InSb器件的位數(shù)已達128×128陣列。3~5μm波段InSb光伏探測器作為敏感元件組成的混成焦平面陣列也得到很大發(fā)展,并已作成元數(shù)較多的兩維陣列。
Growth Method |
VGF |
|||||
Type/Dopant |
Un |
N/S/Sn |
P/Zn |
|||
Diameter |
2inch/3inch |
|||||
Orientation |
100 |
|||||
Surface |
Polished/Etched |
|||||
Epi-ready |
Yes |
|||||
Package |
single |
|||||
Size |
2inch |
3inch |
||||
Diameter(mm) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
||||
Thickness(um) |
500±25 |
650±25 |
||||
OF(mm) |
16±2 |
22±2 |
||||
IF(mm) |
8±2 |
12±2 |
||||
TTV(um) |
<10 |
<15 |
||||
BOW(um) |
<15 |
<15 |
||||
Warp(um) |
<15 |
<15 |
||||
Electrical parameters |
||||||
Dopant |
Conduct Type |
Ingot CC(/cm3) |
Mobility (cm2/v.s) |
Resistivity (?·cm) |
EPD(/cm3) |
|
Undoped |
N |
(5-10)E13 |
(0.5-2)E5 |
/ |
≤200or≤500 |
|
Te |
N |
(1-1000)E14 |
(0.2-1)E5 |
/ |
≤200or≤500 |
|
Ge |
P |
(0.5-5)E15 |
4000-8000 |
/ |
≤200or≤500 |