国产成人精选视频在线观看_WWW.-级毛片线天内射视视_久久精品人成免费_亚洲综合一区国产精品_漂亮人妻洗澡被公强_国产AV丝袜旗袍无码_中文字幕无码AV波多野吉衣_老司机深夜18禁污污网站

 
  • 歡迎光臨 北京特博萬德科技有限公司 企業(yè)官網(wǎng)!
簡體中文
北京特博萬德科技
銻化銦晶片InSb

銻化銦晶片InSb

北京特博萬德供應2寸和3寸的銻化銦InSb晶片。
InSb單晶電子遷移率高,是良好的紅外探測器件、霍耳器件、磁阻器件的襯底材料。例如,對應于大氣透射窗口3~5μm波段的成像器件和InSb焦平面陣列器件。
另外在電荷注入器件方面,InSb器件的位數(shù)已達128×128陣列。3~5μm波段InSb光伏探測器作為敏感元件組成的混成焦平面陣列也得到很大發(fā)展,并已作成元數(shù)較多的兩維陣列。

0.00
0.00
  
商品描述

北京特博萬德供應2寸和3寸的銻化銦InSb晶片。
InSb單晶電子遷移率高,是良好的紅外探測器件、霍耳器件、磁阻器件的襯底材料。例如,對應于大氣透射窗口3~5μm波段的成像器件和InSb焦平面陣列器件。
另外在電荷注入器件方面,InSb器件的位數(shù)已達128×128陣列。3~5μm波段InSb光伏探測器作為敏感元件組成的混成焦平面陣列也得到很大發(fā)展,并已作成元數(shù)較多的兩維陣列。


Growth Method

VGF

Type/Dopant

Un

N/S/Sn

P/Zn

Diameter

2inch/3inch

Orientation

100

Surface

Polished/Etched

Epi-ready

Yes

Package

single

Size

2inch

3inch

Diametermm

50.8±0.3

76.2±0.3

Thickness(um)

500±25

650±25

OF(mm)

16±2

22±2

IF(mm)

8±2

12±2

TTV(um)

<10

<15

BOW(um)

<15

<15

Warp(um)

<15

<15

Electrical parameters

Dopant

Conduct Type

Ingot CC(/cm3)

Mobility (cm2/v.s)

Resistivity (?·cm)

EPD(/cm3)

Undoped

N

5-10E13

0.5-2E5

/

≤200or≤500

Te

N

1-1000E14

0.2-1E5

/

≤200or≤500

Ge

P

0.5-5E15

4000-8000

/

≤200or≤500