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銻化鎵晶片GaSb

銻化鎵晶片GaSb

北京特博萬(wàn)德供應(yīng)2寸、3寸和4寸銻化鎵GaSb晶片。

 銻化鎵(GaSb)是一種非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接帶隙半導(dǎo)體材料,是Ⅱ類(lèi)超晶格非制冷中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器及焦平面陣列的關(guān)鍵材料;非制冷中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器具有長(zhǎng)壽命、輕量化、高靈敏度、高可靠性等優(yōu)點(diǎn);該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在紅外激光器、紅外探測(cè)器、紅外傳感器、熱光伏電池。

 它可以與各種Ⅲ -Ⅴ族材料的三元、四元固熔體合金的晶格常數(shù)相匹配, 這些材料光譜的范圍在(0 .8 ~ 4 .0)μm 之間, 正好符合要求。另外, 利用GaSb 基材料超晶格的帶間吸收也可以制造更長(zhǎng)波長(zhǎng)(8 ~ 14)μm 范圍的探測(cè)器。

GaSb 基材料制造的器件除了在光纖通信中有巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值外, 在其他領(lǐng)域也有很大的潛在應(yīng)用價(jià)值, 如制作多種用途的紅外探測(cè)器件及火箭和監(jiān)視系統(tǒng)中的紅外成像器件, 用于火災(zāi)報(bào)警和環(huán)境污染檢測(cè)的傳感器, 監(jiān)測(cè)工廠中腐蝕氣體(如HCl 等)和有毒氣體的泄漏的傳感器等。


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商品描述

北京特博萬(wàn)德供應(yīng)2寸、3寸和4寸銻化鎵GaSb晶片。

 銻化鎵(GaSb)是一種非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接帶隙半導(dǎo)體材料,是Ⅱ類(lèi)超晶格非制冷中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器及焦平面陣列的關(guān)鍵材料;非制冷中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器具有長(zhǎng)壽命、輕量化、高靈敏度、高可靠性等優(yōu)點(diǎn);該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在紅外激光器、紅外探測(cè)器、紅外傳感器、熱光伏電池。

 它可以與各種Ⅲ -Ⅴ族材料的三元、四元固熔體合金的晶格常數(shù)相匹配, 這些材料光譜的范圍在(0 .8 ~ 4 .0)μm 之間, 正好符合要求。另外, 利用GaSb 基材料超晶格的帶間吸收也可以制造更長(zhǎng)波長(zhǎng)(8 ~ 14)μm 范圍的探測(cè)器。

GaSb 基材料制造的器件除了在光纖通信中有巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值外, 在其他領(lǐng)域也有很大的潛在應(yīng)用價(jià)值, 如制作多種用途的紅外探測(cè)器件及火箭和監(jiān)視系統(tǒng)中的紅外成像器件, 用于火災(zāi)報(bào)警和環(huán)境污染檢測(cè)的傳感器, 監(jiān)測(cè)工廠中腐蝕氣體(如HCl 等)和有毒氣體的泄漏的傳感器等。



Growth Method

VGF

Type/Dopant

Un

N/Te

P/Zn

Diameter

2inch/3inch/4inch

Orientation

100/111

Surface

Polished/Etched

Epi-ready

Yes

Package

single

Size

2inch

3inch

4inch

Diametermm

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

Thickness(um)

500±25

600±25

800±25

OF(mm)

16±2

22±2

32.5±2

IF(mm)

8±2

12±2

18±2

TTV(um)

<10

<10

<20

BOW(um)

<15

<15

<20

Warp(um)

<15

<15

<20

Electrical parameters

Dopant

Conduct Type

Ingot CC(/cm3)

Mobility (cm2/v.s)

Resistivity (?·cm)

EPD(/cm3)

Undoped

P

1~2E17

600~700

/

<1E3

Te- GaSb

N

1~20E17

2000~3500

/

<1E3

Zn- GaSb

P

(5~100E17

200~500

/

<1E3