北京特博萬德供應(yīng)磷化銦InP晶片。
尺寸:2寸,3寸,4寸;
表面:單拋、雙拋;
厚度:350um、500um、625um等;
闡述:磷化銦(InP)是一種重要的化合物半導(dǎo)體材料,具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導(dǎo)熱好的優(yōu)點;
應(yīng)用:制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。在固態(tài)發(fā)光、微波通信、光纖通信、太陽能電池、制導(dǎo)/導(dǎo)航、衛(wèi)星等民用和軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用十分廣闊。
北京特博萬德供應(yīng)磷化銦InP晶片。
尺寸:2寸,3寸,4寸;
表面:單拋、雙拋;
厚度:350um、500um、625um等;
闡述:磷化銦(InP)是一種重要的化合物半導(dǎo)體材料,具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導(dǎo)熱好的優(yōu)點;
應(yīng)用:制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。在固態(tài)發(fā)光、微波通信、光纖通信、太陽能電池、制導(dǎo)/導(dǎo)航、衛(wèi)星等民用和軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用十分廣闊。
Growth Method |
VGF |
||||
Diameter |
2inch/3inch/4inch |
||||
Type/Dopant |
Un |
N/S/Sn |
P/Zn |
||
Orientation |
<100> ±0.5° |
||||
Surface |
Polished/Etched |
||||
Epi-ready |
Yes |
||||
Package |
Cassette or single |
||||
|
|||||
Size |
2inch |
3inch |
4inch |
||
Diameter(mm) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
||
Thickness(um) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
||
OF(mm) |
16±2 |
22±2 |
32.5±2 |
||
IF(mm) |
8±2 |
12±2 |
18±2 |
||
TTV(um) |
<10 |
<15 |
<15 |
||
BOW(um) |
<15 |
<15 |
<15 |
||
Warp(um) |
<15 |
<15 |
<15 |
||
|
|||||
Electrical parameters |
|||||
Dopant |
Conduct Type |
Ingot CC(/cm3) |
Mobility (cm2/v.s) |
Resistivity (?·cm) |
EPD(/cm3) |
Undoped |
N |
3E16 |
>1700 |
/ |
<5E4 |
S-InP |
N |
(0.5~5)E18 |
(1~4)E3 |
/ |
<5E4 |
Fe-InP |
N |
(0.1~1)E8 |
>1700 |
>1E7 |
<5E4 |
Zn-InP |
P |
(0.6~6)E18 |
>50 |
/ |
<5E4 |