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碳化硅晶片SiC

碳化硅晶片SiC

北京特博萬德供應(yīng)2,3,4,6英寸,切割小塊的SiC碳化硅晶片。
碳化硅(SiC)是一種性能優(yōu)越的新型化合物半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體具有大禁帶寬度(約為硅的3倍)、高臨界場強(qiáng)(約為硅的10倍)、高熱導(dǎo)率(約為硅的3倍)等優(yōu)良特性,是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件(電力芯片)的理想半導(dǎo)體材料。同時,也是僅次于鉆石的優(yōu)良的半導(dǎo)體材料。

目前我們還提供標(biāo)準(zhǔn)的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片,用于肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的制作。這些電力電子器件可廣泛應(yīng)用于包括太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電、混合動力及電動汽車等綠色能源和節(jié)能系統(tǒng)。


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商品描述

北京特博萬德供應(yīng)2,3,4,6英寸,切割小塊的SiC碳化硅晶片。
碳化硅(SiC)是一種性能優(yōu)越的新型化合物半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體具有大禁帶寬度(約為硅的3倍)、高臨界場強(qiáng)(約為硅的10倍)、高熱導(dǎo)率(約為硅的3倍)等優(yōu)良特性,是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件(電力芯片)的理想半導(dǎo)體材料。同時,也是僅次于鉆石的優(yōu)良的半導(dǎo)體材料。

目前我們還提供標(biāo)準(zhǔn)的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片,用于肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的制作。這些電力電子器件可廣泛應(yīng)用于包括太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電、混合動力及電動汽車等綠色能源和節(jié)能系統(tǒng)。



等級 Grade

工業(yè)級Production

研究級Research grade

試片級Dummy Grade

直徑

50.8 mm±0.38 mm2英寸

厚度

330 μm±25μm

晶片方向

On axis  <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

Off axis4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI

微管密度cm-2

≤5

≤15

≤50

 

電阻率(Ω·cm)

 4H-N

0.015~0.028 Ω·cm

6H-N

0.02~0.1

4/6H-SI

>1E5

(90%) >1E5

主定位邊方向

{10-10}±5.0°

主定位邊長度 (mm)

15.9 ±1.7

次定位邊長度 (mm)

8.0 ±1.7

次定位邊方向

Silicon face up 90° CW. from Prime flat ±5.0°

邊緣

1 mm

TTV/Bow /Warp (um)

≤15 /≤25 /≤25

表面粗糙度

Polish Ra≤1 nm

CMP Ra≤0.5 nm

裂紋(強(qiáng)光燈觀測) #

None

None

1 allowed ≤1 mm

六方空洞(強(qiáng)光燈觀測)*

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤3 %

多型(強(qiáng)光燈觀測)*

None

Cumulative area≤2 %

Cumulative area≤5%

劃痕(強(qiáng)光燈觀測)*

3 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

8 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

崩邊#

None

3 allowed,≤0.5 mm each

5 allowed,≤1 mm each

表面污染物(強(qiáng)光燈觀測)

None


等級 Grade

工業(yè)級Production

研究級Research grade

試片級Dummy Grade

直徑 76.2±0.38mm(3英寸)

厚度

350 μm±25μm

晶片方向

On axis  <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

Off axis4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI

微管密度cm-2

≤5

≤15

≤50

 

電阻率(Ω·cm)

 4H-N

0.015~0.028 Ω·cm

6H-N

0.02~0.1

4/6H-SI

>1E5

(90%) >1E5

主定位邊方向

{10-10}±5.0°

主定位邊長度 (mm)

22.2 mm±3.2 mm

次定位邊長度 (mm)

11.2 mm±1.5 mm

次定位邊方向

Silicon face up 90° CW. from Prime flat ±5.0°

邊緣

2 mm

TTV/Bow /Warp (um)

≤15 /≤25 /≤35

表面粗糙度

Polish Ra≤1 nm

CMP Ra≤0.5 nm

裂紋(強(qiáng)光燈觀測) #

None

1 allowed,≤1 mm

1 allowed ≤2 mm

六方空洞(強(qiáng)光燈觀測)*

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤3 %

多型(強(qiáng)光燈觀測)*

None

Cumulative area≤2 %

Cumulative area≤5%

劃痕(強(qiáng)光燈觀測)*

3 scratches to1×wafer diameter cumulative length

5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

8 scratches to 2×wafer diameter cumulative length

崩邊#

None

3 allowed,≤0.5 mm each

5 allowed≤1 mm each

表面污染物(強(qiáng)光燈觀測)

None



等級 Grade

工業(yè)級Production

研究級Research grade

試片級Dummy Grade

直徑

100±0.5mm(4英寸)

厚度

350 μm±25μm

晶片方向

On axis  <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

Off axis4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI

微管密度cm-2

≤5

≤15

≤50

 

電阻率(Ω·cm)

 4H-N

0.015~0.028 Ω·cm

6H-N

0.02~0.1

4/6H-SI

>1E5

(90%) >1E5

主定位邊方向

{10-10}±5.0°

主定位邊長度 (mm)    

32.5±2.5mm

次定位邊長度 (mm)                                           

18.0±2mm

次定位邊方向

Silicon face up 90° CW. from Prime flat ±5.0°

邊緣

3mm

TTV/Bow /Warp (um)

≤15 /≤25 /≤40

表面粗糙度

Polish Ra≤1 nm

CMP Ra≤0.5 nm

裂紋(強(qiáng)光燈觀測) #                               

None

1 allowed,≤2 mm

Cumulative length ≤ 10mmsingle length≤2mm

六方空洞(強(qiáng)光燈觀測)*

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤3 %

多型(強(qiáng)光燈觀測)*

None

Cumulative area≤2 %

Cumulative area≤5%

劃痕(強(qiáng)光燈觀測)*

3 scratches to1×wafer diameter cumulative length

5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

5scratches to 1×wafer diameter cumulative length

崩邊#

None

3 allowed,≤0.5 mm each

5 allowed≤1 mm each

表面污染物(強(qiáng)光燈觀測)

None



等級 Grade

工業(yè)級Production

研究級Research grade

試片級Dummy Grade

直徑 150±2.0mm(6英寸)

厚度

350 μm±25μm

晶片方向

On axis  <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

Off axis4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI

微管密度cm-2

≤5

≤15

≤50

 

電阻率(Ω·cm)

 4H-N

0.015~0.028 Ω·cm



4/6H-SI

>1E5

主定位邊方向

{10-10}±5.0°

主定位邊長度 (mm)

47.5 mm±2.5 mm

邊緣

3mm

TTV/Bow /Warp (um)

≤15 /≤40 /≤60

表面粗糙度

Polish Ra≤1 nm

CMP Ra≤0.5 nm

裂紋(強(qiáng)光燈觀測) #

None

1 allowed,≤2 mm

Cumulative length ≤ 10mmsingle length≤2mm

六方空洞(強(qiáng)光燈觀測)*

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤2 %

Cumulative area≤5%

多型(強(qiáng)光燈觀測)*

None

Cumulative area≤2 %

Cumulative area≤5%

劃痕(強(qiáng)光燈觀測)*

3 scratches to1×wafer diameter cumulative length

5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

5scratches to 1×wafer diameter cumulative length

崩邊#

None

3 allowed,≤0.5 mm each

5 allowed,≤1 mm each

表面污染物(強(qiáng)光燈觀測)

None