北京特博萬德供應(yīng)2,3,4,6英寸,切割小塊的SiC碳化硅晶片。
碳化硅(SiC)是一種性能優(yōu)越的新型化合物半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體具有大禁帶寬度(約為硅的3倍)、高臨界場強(qiáng)(約為硅的10倍)、高熱導(dǎo)率(約為硅的3倍)等優(yōu)良特性,是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件(電力芯片)的理想半導(dǎo)體材料。同時,也是僅次于鉆石的優(yōu)良的半導(dǎo)體材料。
目前我們還提供標(biāo)準(zhǔn)的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片,用于肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的制作。這些電力電子器件可廣泛應(yīng)用于包括太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電、混合動力及電動汽車等綠色能源和節(jié)能系統(tǒng)。
北京特博萬德供應(yīng)2,3,4,6英寸,切割小塊的SiC碳化硅晶片。
碳化硅(SiC)是一種性能優(yōu)越的新型化合物半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體具有大禁帶寬度(約為硅的3倍)、高臨界場強(qiáng)(約為硅的10倍)、高熱導(dǎo)率(約為硅的3倍)等優(yōu)良特性,是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件(電力芯片)的理想半導(dǎo)體材料。同時,也是僅次于鉆石的優(yōu)良的半導(dǎo)體材料。
目前我們還提供標(biāo)準(zhǔn)的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片,用于肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的制作。這些電力電子器件可廣泛應(yīng)用于包括太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電、混合動力及電動汽車等綠色能源和節(jié)能系統(tǒng)。
等級 Grade |
工業(yè)級Production |
研究級Research grade |
試片級Dummy Grade |
||
直徑 |
50.8 mm±0.38 mm(2英寸) |
||||
厚度 |
330 μm±25μm |
||||
晶片方向 |
On axis : <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Off axis:4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI |
|||
微管密度(cm-2) |
≤5 |
≤15 |
≤50 |
||
電阻率(Ω·cm) |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
|||
6H-N |
0.02~0.1 |
||||
4/6H-SI |
>1E5 |
(90%) >1E5 |
|||
主定位邊方向 |
{10-10}±5.0° |
||||
主定位邊長度 (mm) |
15.9 ±1.7 |
||||
次定位邊長度 (mm) |
8.0 ±1.7 |
||||
次定位邊方向 |
Silicon face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0° |
||||
邊緣 |
1 mm |
||||
TTV/Bow /Warp (um) |
≤15 /≤25 /≤25 |
||||
表面粗糙度 |
Polish Ra≤1 nm |
||||
CMP Ra≤0.5 nm |
|||||
裂紋(強(qiáng)光燈觀測) # |
None |
None |
1 allowed, ≤1 mm |
||
六方空洞(強(qiáng)光燈觀測)* |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤3 % |
||
多型(強(qiáng)光燈觀測)* |
None |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
||
劃痕(強(qiáng)光燈觀測)* |
3 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
8 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
||
崩邊# |
None |
3 allowed,≤0.5 mm each |
5 allowed,≤1 mm each |
||
表面污染物(強(qiáng)光燈觀測) |
None |
等級 Grade |
工業(yè)級Production |
研究級Research grade |
試片級Dummy Grade |
||
直徑 | 76.2±0.38mm(3英寸) | ||||
厚度 |
350 μm±25μm |
||||
晶片方向 |
On axis : <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Off axis:4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI |
|||
微管密度(cm-2) |
≤5 |
≤15 |
≤50 |
||
電阻率(Ω·cm) |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
|||
6H-N |
0.02~0.1 |
||||
4/6H-SI |
>1E5 |
(90%) >1E5 |
|||
主定位邊方向 |
{10-10}±5.0° |
||||
主定位邊長度 (mm) |
22.2 mm±3.2 mm |
||||
次定位邊長度 (mm) |
11.2 mm±1.5 mm |
||||
次定位邊方向 |
Silicon face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0° |
||||
邊緣 |
2 mm |
||||
TTV/Bow /Warp (um) |
≤15 /≤25 /≤35 |
||||
表面粗糙度 |
Polish Ra≤1 nm |
||||
CMP Ra≤0.5 nm |
|||||
裂紋(強(qiáng)光燈觀測) # |
None |
1 allowed,≤1 mm |
1 allowed, ≤2 mm |
||
六方空洞(強(qiáng)光燈觀測)* |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤3 % |
||
多型(強(qiáng)光燈觀測)* |
None |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
||
劃痕(強(qiáng)光燈觀測)* |
3 scratches to1×wafer diameter cumulative length |
5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
8 scratches to 2×wafer diameter cumulative length |
||
崩邊# |
None |
3 allowed,≤0.5 mm each |
5 allowed,≤1 mm each |
||
表面污染物(強(qiáng)光燈觀測) |
None |
等級 Grade |
工業(yè)級Production |
研究級Research grade |
試片級Dummy Grade |
||
直徑 |
100±0.5mm(4英寸) | ||||
厚度 |
350 μm±25μm |
||||
晶片方向 |
On axis : <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Off axis:4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI |
|||
微管密度(cm-2) |
≤5 |
≤15 |
≤50 |
||
電阻率(Ω·cm) |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
|||
6H-N |
0.02~0.1 |
||||
4/6H-SI |
>1E5 |
(90%) >1E5 |
|||
主定位邊方向 |
{10-10}±5.0° |
||||
主定位邊長度 (mm) |
32.5±2.5mm | ||||
次定位邊長度 (mm) |
18.0±2mm | ||||
次定位邊方向 |
Silicon face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0° |
||||
邊緣 |
3mm |
||||
TTV/Bow /Warp (um) |
≤15 /≤25 /≤40 |
||||
表面粗糙度 |
Polish Ra≤1 nm |
||||
CMP Ra≤0.5 nm |
|||||
裂紋(強(qiáng)光燈觀測) # |
None |
1 allowed,≤2 mm |
Cumulative length ≤ 10mm,single length≤2mm |
||
六方空洞(強(qiáng)光燈觀測)* |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤3 % |
||
多型(強(qiáng)光燈觀測)* |
None |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
||
劃痕(強(qiáng)光燈觀測)* |
3 scratches to1×wafer diameter cumulative length |
5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
5scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
||
崩邊# |
None |
3 allowed,≤0.5 mm each |
5 allowed,≤1 mm each |
||
表面污染物(強(qiáng)光燈觀測) |
None |
等級 Grade |
工業(yè)級Production |
研究級Research grade |
試片級Dummy Grade |
||
直徑 | 150±2.0mm(6英寸) | ||||
厚度 |
350 μm±25μm |
||||
晶片方向 |
On axis : <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Off axis:4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI |
|||
微管密度(cm-2) |
≤5 |
≤15 |
≤50 |
||
電阻率(Ω·cm) |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
|||
|
|
||||
4/6H-SI |
>1E5 |
||||
主定位邊方向 |
{10-10}±5.0° |
||||
主定位邊長度 (mm) |
47.5 mm±2.5 mm |
||||
邊緣 |
3mm |
||||
TTV/Bow /Warp (um) |
≤15 /≤40 /≤60 |
||||
表面粗糙度 |
Polish Ra≤1 nm |
||||
CMP Ra≤0.5 nm |
|||||
裂紋(強(qiáng)光燈觀測) # |
None |
1 allowed,≤2 mm |
Cumulative length ≤ 10mm,single length≤2mm |
||
六方空洞(強(qiáng)光燈觀測)* |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
||
多型(強(qiáng)光燈觀測)* |
None |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
||
劃痕(強(qiáng)光燈觀測)* |
3 scratches to1×wafer diameter cumulative length |
5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
5scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
||
崩邊# |
None |
3 allowed,≤0.5 mm each |
5 allowed,≤1 mm each |
||
表面污染物(強(qiáng)光燈觀測) |
None |