国产成人精选视频在线观看_WWW.-级毛片线天内射视视_久久精品人成免费_亚洲综合一区国产精品_漂亮人妻洗澡被公强_国产AV丝袜旗袍无码_中文字幕无码AV波多野吉衣_老司机深夜18禁污污网站

 
  • 歡迎光臨 北京特博萬德科技有限公司 企業(yè)官網(wǎng)!
簡體中文
北京特博萬德科技
離子注入機

離子注入機

北京特博萬德代理 法國IBS公司-離子注入機。
法國IBS公司成立于1987年,在近30年的時間里,一直致力于離子注入領域的研發(fā)、設計制造與服務。并不斷升級和提高在該領域的技術水平。在IBS法國,公司的創(chuàng)始人是來自法國軍方的技術專家,在他帶領下,整個技術團隊對技術更新的熱枕大于市場運作的努力,嚴謹?shù)驼{的作風保證了設備的高質量和超強的穩(wěn)定性。盡管如此,IBS公司在世界范圍內已經(jīng)銷售超過100臺注入機,可以預見在未來幾年,IBS產(chǎn)品必將在離子注入領域成為無可匹敵的競爭者。

產(chǎn)品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入,IBS更具有按照客戶要求設計定制的能力。

主要用于半導體微電子襯底材料摻雜,在晶圓上注入B、P、As等元素,并且具備升級注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能。


      


0.00
0.00
  
商品描述

北京特博萬德代理 法國IBS公司-離子注入機。
法國IBS公司成立于1987年,在近30年的時間里,一直致力于離子注入領域的研發(fā)、設計制造與服務。并不斷升級和提高在該領域的技術水平。在IBS法國,公司的創(chuàng)始人是來自法國軍方的技術專家,在他帶領下,整個技術團隊對技術更新的熱枕大于市場運作的努力,嚴謹?shù)驼{的作風保證了設備的高質量和超強的穩(wěn)定性。盡管如此,IBS公司在世界范圍內已經(jīng)銷售超過100臺注入機,可以預見在未來幾年,IBS產(chǎn)品必將在離子注入領域成為無可匹敵的競爭者。

產(chǎn)品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入,IBS更具有按照客戶要求設計定制的能力。

主要用于半導體微電子襯底材料摻雜,在晶圓上注入B、P、As等元素,并且具備升級注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能。


      



型號

IMC200

型號

PULSION

應用

設備主要用于半導體微電子襯底材料摻雜,在晶圓上注入BP、As等元素,并且具備升級注入AlH、N、He、Ar等其他元素功能

優(yōu)勢

ü3D浸沒式全方位離子注入,不受形狀、大小、表面狀態(tài)限制

ü可靠性高,氣體消耗量低,易于維護,成本低;

ü獨特的脈沖等離子體配置和偏振技術,所需能量低,電流輸入輸出能力高,工藝穩(wěn)定性高,可以實現(xiàn)保形處理;

ü能夠以較小的占地面積處理大型部件;

ü工藝時間短:工藝時間與待注入的機械部件的大小無關,即使要求的注入量非常高;

ü可按照用戶要求定制;

ü有全自動、工程和手動模式,工程和手動模式下可人為控制單步驟工藝;

ü工藝recipe可編輯,工藝參數(shù)可監(jiān)測、控制和記錄,可查看報警歷史。

注入晶圓尺寸

6英寸,兼容5、4、3、2英寸,不規(guī)則小片,最小可注入1 cm2的樣品。

原理

把要處理的部件放在真空室中的夾具上,并完全浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中。當夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負電壓時,開始注入。

注入能量范圍

單價離子30KeV200KeV,可升級二價/三價離子注入,注入能量可升級到400 KeV/600 KeV

應用

ü改善表面機械性能,減少磨損、摩擦力和金屬疲勞;

ü提高表面耐腐蝕、耐化學、耐高溫性能;

ü改變表面理化性能如表面能、粘附性等;

ü提高生物相容性;

ü逸出功工程;

ü用于高級存儲器和硅基光電學的納米沉淀和納米結構;

ü加氫(Hydrogenation),吸氣(gettering)。

注入角度

,可通過手動更換夾具的方式來改變注入角度。

加速電壓

1 kV ~ 10 kV

注入劑量范圍

1×1011 at/cm2  1×1018 at/cm2

標準注入電流

5 mA ~ 100 mA (N2)

注入均勻性

ü4”片內、片間1σ ≤ 1.0 % (注入條件:4英寸硅片,1000 ?氧化層,11B,注入能量100KeV,注入劑量1×1014 at/cm2.);

ü6”片內、片間1σ ≤ 1.0 %(注入條件:6英寸硅片,1000 ?氧化層,11B,注入能量100KeV,注入劑量1×1014 at/cm2

標準注入時間

30 min ~ 3 h

真空度

ü離子源:≥ 2×10-6 mbar2 x10-4 Pa);

ü束流管:≥ 7×10-7 mbar7x10-5 Pa);

ü 靶室:≥ 7×10-7 mbar7x10-5Pa);

ü離子源真空系統(tǒng)初真空泵為化學干泵,高真空泵為渦輪分子泵;束流管及終端真空系統(tǒng)初真空泵為干泵,高真空泵為冷泵。

可注入選項

N, C, O, Ar, H, He, F, Ge, Si...

最大注入束流

ü11B單價離子:≥ 600μA;

ü 31P單價離子:≥ 1500μA;

ü75As單價離子:≥ 1500μA。

(注入條件:6”晶圓,注入能量120KeV200KeV)。

注入部件尺寸

≤ 400 mm×400 mm×200 mm

離子源氣路系統(tǒng)

包含5路氣體:BF3、PH3、AsH3ArN2,所有氣路系統(tǒng)都集成在機器里面,能實時監(jiān)控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點探測技術。

輻射

在任意外部屏蔽點10 cm< 0.6 μSv/h

軟件功能

包括但不限于:權限管理、參數(shù)管理、手動控制、實時數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)記錄、報警管理等。軟件可根據(jù)需求免費更新升級。

注入劑量范圍

1E14 at/cm2 ~1E18 at/cm2

腔室氣壓

< 5×10-6  mbar

設備尺寸

1.6×2.15×2.3m(標準型);2.15×2.15×2.3m(加大型)

輻射

在任意外部屏蔽點10 cm< 0.6 μSv/h

注入劑量范圍

1E14 at/cm2 ~1E18 at/cm2

離子輻射滿足國際相應標準,具有CE認證。