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電子束蒸發(fā)/磁控濺射/RIE等離子刻蝕/PECVD沉積系統(tǒng)

電子束蒸發(fā)/磁控濺射/RIE等離子刻蝕/PECVD沉積系統(tǒng)

美國Torr托爾公司,成立于1989年,公司的創(chuàng)始人來自美國NASA項(xiàng)目組,有著豐富的經(jīng)驗(yàn)背景。
公司主要產(chǎn)品包括熱蒸發(fā)系統(tǒng)、電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、磁控濺射儀、離子刻蝕機(jī)(RIE ICP-RIE)、等離子化學(xué)氣相沉積PECVD、原子層沉積ALD和離子束沉積IBD等。

托爾公司是專業(yè)的薄膜沉積和刻蝕設(shè)備制造商,服務(wù)于科研和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。在美國,托爾公司的產(chǎn)品深受一些知名大學(xué)像UCLA、Berkeley和Columbia等和很多世界500強(qiáng)公司像IBM、Boeing和Texas Insturments National Semiconductor等的青睞。
公司產(chǎn)品更是遠(yuǎn)銷到歐洲、俄羅斯、中國、日本、韓國等世界各地。
特別是托爾公司的蒸發(fā)、濺射和刻蝕聯(lián)合系統(tǒng),集多種功能于一身,加上價(jià)格優(yōu)勢。托爾公司可以按照客戶要求定制各種多功能聯(lián)合系統(tǒng)。


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商品描述

美國Torr托爾公司,成立于1989年,公司的創(chuàng)始人來自美國NASA項(xiàng)目組,有著豐富的經(jīng)驗(yàn)背景。
公司主要產(chǎn)品包括熱蒸發(fā)系統(tǒng)、電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、磁控濺射儀、離子刻蝕機(jī)(RIE ICP-RIE)、等離子化學(xué)氣相沉積PECVD、原子層沉積ALD和離子束沉積IBD等。

托爾公司是專業(yè)的薄膜沉積和刻蝕設(shè)備制造商,服務(wù)于科研和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。在美國,托爾公司的產(chǎn)品深受一些知名大學(xué)像UCLA、Berkeley和Columbia等和很多世界500強(qiáng)公司像IBM、Boeing和Texas Insturments National Semiconductor等的青睞。
公司產(chǎn)品更是遠(yuǎn)銷到歐洲、俄羅斯、中國、日本、韓國等世界各地。
特別是托爾公司的蒸發(fā)、濺射和刻蝕聯(lián)合系統(tǒng),集多種功能于一身,加上價(jià)格優(yōu)勢。托爾公司可以按照客戶要求定制各種多功能聯(lián)合系統(tǒng)。



美國Torr—蒸發(fā)/濺射薄膜沉積與刻蝕設(shè)備

-------------------真正買得起的高端產(chǎn)品 -- 科研用戶不二的選擇----------------

  • 美國Torr介紹


       美國Torr托爾公司位于美國紐約市,成立于1989年,公司的創(chuàng)始人來自美國NASA項(xiàng)目組,有著豐富的經(jīng)驗(yàn)背景。
       托爾公司是專業(yè)的薄膜沉積和刻蝕設(shè)備制造商,服務(wù)于科研和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。特別是托爾公司的蒸發(fā)、濺射和刻蝕聯(lián)合系統(tǒng),集多種功能于一身,且具有價(jià)格優(yōu)勢。托爾公司可以按照客戶要求定制各種多功能聯(lián)合系統(tǒng)。

       超過25年的設(shè)計(jì)和制造經(jīng)驗(yàn),產(chǎn)品從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)到使用的便利性,深受廣大用戶的歡迎。在美國,托爾公司的產(chǎn)品深受一些知名大學(xué)像UCLA、Berkeley和Columbia等和很多世界500強(qiáng)公司像IBM、Boeing和Texas Insturments National Semiconductor等的青睞。公司產(chǎn)品更是遠(yuǎn)銷到歐洲、俄羅斯、中國、日本、韓國等世界各地。

  • 公司產(chǎn)品系列


       公司主要產(chǎn)品包括熱蒸發(fā)系統(tǒng)、電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、磁控濺射儀、離子刻蝕機(jī)(RIE ICP-RIE)、等離子化學(xué)氣相沉積PECVD、原子層沉積ALD和離子束沉積IBD等。


   

名稱

電子束蒸發(fā)系統(tǒng)(以EB-4P為例

特點(diǎn)

完全可定制,結(jié)構(gòu)緊湊,實(shí)用,可靠性高,薄膜沉積均勻,粘附性好,沉積速率可嚴(yán)格控制,污染低,具備多軸旋轉(zhuǎn)能力。

多種材料的連續(xù)沉積,可以完成幾乎所有的金屬材料和介電薄膜的沉積,是一款極高端配置的高真空鍍膜設(shè)備,可滿足用戶各種苛刻要求。腔室采用最佳的D字型設(shè)計(jì),是美國托爾公司的獨(dú)特設(shè)計(jì),完全不同于其他的制造商,這種設(shè)計(jì)可以更方便的靠近電子槍,方便更換干鍋和基片樣品。更重要的是這種設(shè)計(jì)可以使腔體小型化,靈活方便,也可以使任何組件和樣品方便進(jìn)出,達(dá)到尺寸和便利性的優(yōu)秀結(jié)合。

應(yīng)用

專為實(shí)驗(yàn)室/大學(xué)研發(fā)或小規(guī)模生產(chǎn)設(shè)計(jì),適用于在納米技術(shù)、光學(xué)、顯微鏡、MBE、功能性和裝飾性涂層等應(yīng)用中沉積幾乎所有的金屬比如Ti, Pd, Ag, Ge, Ni, Ta, Cr, W, Nb, Al, Au, Pt等,以及像SiO2, Ga2O3等氧化材料、磁性材料和電介質(zhì)等。

基本

配置

工藝腔室

不銹鋼D字型腔室設(shè)計(jì),前開門,便于靠近蒸發(fā)源、樣品臺(tái)和其他所有附件。配有不銹鋼篩網(wǎng)的4”直徑的觀察窗方便監(jiān)測工藝過程。

電子束槍

4個(gè)4cc水冷干鍋,并配有快門擋板。

樣品臺(tái)

樣品臺(tái)尺寸4” 直徑(更大的樣品臺(tái)可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)),可以承載最大4”直徑的樣品或多個(gè)更小及不規(guī)格的樣品,樣品臺(tái)可加熱300°C。可以0-20 rpm 旋轉(zhuǎn)。配備快門遮擋防止污染。

電源類型

配備X-Y掃描控制器的高壓電源(3kW15 kW

真空系統(tǒng)

由機(jī)械泵和抽速450L/S的分子泵組成。這樣的真空組合,可以實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)真空10-6 Torr,極限真空10-7 Torr。放氣閥與真空泵間安全互鎖。

附加裝置

帶沉積控制器的石英晶體厚度傳感器,實(shí)時(shí)監(jiān)測沉積速率和膜厚。

具有顯示和讀數(shù)功能的全系列真空計(jì),測量范圍760 ~ 10-9Torr

控制系統(tǒng)

全自動(dòng)

可選

配置

水冷裝置、與樣品傳送系統(tǒng)相匹配的真空進(jìn)樣室、多軸旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)(尺寸和高度可調(diào))、石英燈加熱裝置(從300°C800°C)、行星式基臺(tái)、PLC控制系統(tǒng)、PC控制系統(tǒng)、SQC 310薄膜厚度監(jiān)測器&沉積控制器、機(jī)動(dòng)快門、大容量坩堝和高功率電源、渦旋干泵、低溫泵送系統(tǒng)、冷陰極或熱陰極電離真空計(jì)、額外的備用法蘭、帶數(shù)字讀數(shù)的質(zhì)量流量控制器、射頻清洗功能、原位掩模更換裝置

類似

產(chǎn)品

熱蒸發(fā)系統(tǒng) :采用電阻加熱蒸發(fā)源材料,沉積膜層。受蒸發(fā)溫度、材料熔點(diǎn)及壽命限制,應(yīng)用有限,成本較低。

CRTECompact Research Thermal EvaporationSystem:研究用小型熱蒸發(fā)系統(tǒng)。

名稱

磁控濺射系統(tǒng)(MagSputTM系列)

特點(diǎn) 

靈活可拓展,可完全按照要求定制,靶數(shù)量可拓展且易于更換,可實(shí)現(xiàn)共濺射、不破壞真空的連續(xù)濺射和反應(yīng)濺射。

該型號(hào)集成了LoadLock裝載室,裝片后可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)進(jìn)出片,大大提高了基片的潔凈度,進(jìn)而提高了成膜質(zhì)量。同時(shí)LoadLock裝載室與工藝腔室間有閘板閥隔離,也保證了工藝腔室高真空度,大大降低腔室中顆粒的散射作用,使成膜質(zhì)量更高。

應(yīng)用

專為研發(fā)和原型生產(chǎn)設(shè)計(jì),可用于開發(fā)多層光學(xué)鍍膜、傳感器器件、太陽能電池、燃料電池、薄膜研究、超導(dǎo)體研究、ASIC、MEMS、磁性器件和生物醫(yī)學(xué)研究等各種應(yīng)用的沉積工藝。

基本配置

工藝腔室

304L不銹鋼材質(zhì),前開門設(shè)計(jì),便于更換靶材,更容易靠近樣品臺(tái)和厚膜儀、熱偶、進(jìn)口等。配有不銹鋼篩網(wǎng)的4”直徑的觀察窗方便監(jiān)測工藝過程。

磁控槍

4個(gè)直徑 4” 磁控槍(2個(gè)直流2個(gè)射頻)。每個(gè)槍有獨(dú)立的自動(dòng)快門擋板,可以沉積各種介電材料,導(dǎo)體和半導(dǎo)體材料等。為了得到最合適的沉積速率,樣品臺(tái)和靶之間的距離可調(diào)。

樣品臺(tái)

尺寸4.5” 直徑(更大的樣品可根據(jù)客戶要求定制),可以承載最大4”直徑的樣品或多個(gè)更小及不規(guī)格的樣品,樣品臺(tái)可加熱600°C,0-20 rpm 旋轉(zhuǎn),保證了成膜質(zhì)量和均勻性。與靶之間距離可調(diào)。樣品臺(tái)配有自動(dòng)快門擋板。

電源類型

DC/RF濺射沉積。DC直流電源用于金屬沉積,RF射頻電源用于金屬氧化物的沉積,可組合。射頻電源自動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò),反射功率小于1%;

真空泵

渦輪分子真空泵配套雙級(jí)旋片式真空泵;

附加裝置

帶沉積控制器的石英晶體厚度傳感器;

帶數(shù)字讀數(shù)的質(zhì)量流量控制器;
具有顯示和讀數(shù)功能的全系列真空計(jì),測量范圍760E-9 Torr;

控制系統(tǒng)

全自動(dòng)。

可選

配置

水冷裝置、基材預(yù)清潔、與樣品傳送系統(tǒng)相匹配的真空進(jìn)樣室、多軸旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)(尺寸和高度可調(diào))、行星式基臺(tái)、石英燈加熱裝置(從300°C-800°C)、PLC控制系統(tǒng)、PC控制系統(tǒng)、SQC 310薄膜厚度監(jiān)測器&沉積控制器、機(jī)動(dòng)快門、渦旋干泵、低溫泵送系統(tǒng)、冷陰極或熱陰極電離真空計(jì)、額外的備用法蘭。

類似

產(chǎn)品

CRC 600:研究用小型手動(dòng)涂覆濺射系統(tǒng),專為納米技術(shù)研究環(huán)境而設(shè)計(jì),可用于開發(fā)鋁、碳、鉻、金、特氟龍、二氧化硅、鉭、鎢和鈦等材料的沉積工藝。有DC預(yù)清潔和RF蝕刻功能。
IBD System:離子束沉積系統(tǒng),離子束直接聚焦在靶材上激發(fā)出原子沉積在基板上。一般會(huì)使用第二個(gè)離子源IBAD來控制和增強(qiáng)濺射膜的性質(zhì)。

名稱

Reactive Ion Etcher System反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)

特點(diǎn)

可以根據(jù)幾何形貌和研究需求處理各種尺寸樣品,刻蝕均勻性<5%

應(yīng)用

可用于包括氧化物、氮化物、聚合物等薄膜及硅和微電子器件的材料的各向同性蝕刻,適用于研究和開發(fā),可用于小型試驗(yàn)生產(chǎn)應(yīng)用。

基本配置

腔體:頂部開口的鋁或不銹鋼腔體(蛤殼式),有觀察窗,尺寸可定制;
樣品臺(tái):尺寸大小可定制,帶水冷裝置;
電源類型:功率和頻率可定制的RF射頻電源,自動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò);
真空泵:渦輪分子真空泵系統(tǒng)搭配旋片式真空泵,可以實(shí)現(xiàn)<E-5Torr的真空;
附加裝置:在樣品臺(tái)上方定制氣體噴淋裝置;
質(zhì)量流量控制器MFC:用于工藝氣體數(shù)字讀數(shù),數(shù)量可定制;
真空計(jì):具有顯示和讀數(shù)功能,測量范圍E-6Torr;
控制系統(tǒng):手動(dòng)或PC全自動(dòng)

可選配置

水冷裝置、尾氣處理裝置、PLC控制系統(tǒng)、PC控制系統(tǒng)、多氣路(質(zhì)量流量控制器)、額外的備用法蘭、耐腐蝕真空泵系統(tǒng)、耐腐蝕全金屬密封質(zhì)量流量控制器、耐腐蝕真空計(jì)、具有數(shù)字顯示和讀數(shù)的隔離式全量程真空計(jì)(用于預(yù)處理的本底壓力測量)

類似產(chǎn)品

ICPRIE系統(tǒng)(Inductively Coupled Plasma):電感耦合等離子體刻蝕,通過在非諧振感應(yīng)線圈上施加耦合射頻電磁場產(chǎn)生等離子體。具備各向異性,可獨(dú)立控制等離子體密度和能量,等離子體相比于傳統(tǒng)等離子體生成方式密度高而氣壓低,能實(shí)現(xiàn)低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕,廣泛應(yīng)用于MEMS制造工藝中。

名稱

PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

特點(diǎn)

完全可定制,沉積速率快,成膜質(zhì)量好,反應(yīng)溫度低。

應(yīng)用

適用于實(shí)驗(yàn)室/大學(xué)研究或小規(guī)模生產(chǎn),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝行業(yè)、LED、太陽能等領(lǐng)域,可沉積SiO2Si3N4、非晶硅等半導(dǎo)體化合物薄膜。

基本配置

腔體:電鍍拋光不銹鋼D型腔體,水冷,全開式前門,有一個(gè)4英寸可視窗口,用不銹鋼網(wǎng)覆蓋來防止沉積。箱體底板連接基板臺(tái)。頂板連接進(jìn)氣口、RF射頻噴頭等離子體源。
樣品臺(tái):尺寸大小可定制,可配備加熱和溫度監(jiān)控調(diào)節(jié)功能。
電源類型:功率可選,頻率一般為13.56 MHzRF射頻電源,風(fēng)冷,可以自動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò),可顯示正向和反射功率。
真空泵:渦輪分子真空泵搭配雙級(jí)旋片式真空泵,將本底壓力控制在E-7范圍。
附加裝置:帶數(shù)字讀數(shù)的質(zhì)量流量控制器MFC,數(shù)量可升級(jí)具有顯示和讀數(shù)功能的真空計(jì),測量范圍760E-2 Torr
控制系統(tǒng):半自動(dòng)

可選配置

水冷裝置、密封件、法蘭墊片、維修套件、真空計(jì)、加熱裝置、尾氣處理器、PC全自動(dòng)/手動(dòng)/服務(wù)模式、SQC 310薄膜厚度監(jiān)測器&沉積控制器、與樣品傳送系統(tǒng)相匹配的真空進(jìn)樣室。

類似產(chǎn)品

ALDAtomic Layer Deposition)系統(tǒng):原子層沉積系統(tǒng),可以將材料以單原子膜形式逐層沉積,均勻性和一致性極好,應(yīng)用于高級(jí)硬盤驅(qū)動(dòng)器、DRAM、存儲(chǔ)電容器、TFEL顯示器(磷光層)、太陽能電池、MEMS、OLED等領(lǐng)域。

名稱

電子束蒸發(fā)+熱蒸發(fā)+磁控濺射+離子束輔助聯(lián)合系統(tǒng)

名稱

電子束蒸發(fā)+熱蒸發(fā)+磁控濺射+刻蝕聯(lián)合系統(tǒng)

特點(diǎn)

集合多種功能一體,靈活可拓展,可完全按照要求定制,各系統(tǒng)共用電源、水冷、氣柜和真空泵等,極大地節(jié)省空間及成本。

特點(diǎn)

集合多種功能于一體,靈活可拓展,可完全按照要求定制,可選DCRF蝕刻,各系統(tǒng)共用水冷、氣柜和真空泵等公共設(shè)施,極大地節(jié)省了空間及成本;

基本配置

腔體:電鍍拋光不銹鋼D型腔體,16"× 16"× 20",有4英寸直徑帶手動(dòng)擋板的觀察窗;
靶槍:兩個(gè)尺寸可定制的伸縮式磁控槍,帶擋板;
坩堝:帶水冷坩堝的4個(gè)電子束源,容量3cc,帶擋板;
加熱源:兩個(gè)具有獨(dú)立擋板的電阻式加熱源,與電源一體化;
離子源:采用會(huì)聚離子束源的離子束沉積和電源,靶材易于更換;采用發(fā)散束離子源的離子束輔助沉積和電源;
樣品臺(tái):4英寸樣品臺(tái),可加熱和旋轉(zhuǎn);
電源類型:帶X-Y掃描控制器的高壓電源(3kW-10 kW);600W 13.56 MHz射頻電源,自動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò);與兩個(gè)電阻式蒸發(fā)源一體的600W直流電源;
真空泵:低溫泵(1500 L/s空氣,4000 L/s水蒸氣)配套雙級(jí)旋葉低真空泵;
附加裝置:

三位置角度閥;

帶沉積控制器的石英晶體厚度傳感器;

帶數(shù)字讀數(shù)的質(zhì)量流量控制器MFC;

具有顯示和讀數(shù)功能的全范圍真空計(jì);

定制氣體噴淋裝置;

控制系統(tǒng):PLC控制系統(tǒng);

基本配置

腔體:電鍍拋光不銹D型腔體,16"× 16"× 20",有4英寸直徑帶擋板的觀察窗;
靶槍:尺寸可定制,帶有氣動(dòng)快門的兩個(gè)可調(diào)傾斜磁控槍;
坩堝:帶水冷坩堝的4個(gè)電子束源,容量3cc,帶擋板;
加熱源:兩個(gè)具有獨(dú)立擋板的電阻式加熱源,與電源一體化;
樣品臺(tái):4英寸水冷樣品臺(tái),可加熱和旋轉(zhuǎn);
Load Lock:帶獨(dú)立渦輪真空系統(tǒng),與樣品傳送系統(tǒng)相匹配的真空進(jìn)樣室Load Lock,配備用于裝載Load Lock的磁耦合傳送臂;
電源類型:帶X-Y掃描控制器的3kW直流高壓電源;具有自動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò)的600W 13.56 MHz射頻電源;具有2個(gè)電阻式蒸發(fā)源的600W直流電源;
真空泵:1500 L/s低溫泵搭配雙級(jí)低真空粗抽泵;
附加裝置:

三位8英寸角度閥;

帶沉積控制器的石英晶體厚度傳感器/監(jiān)測器;

2個(gè)帶數(shù)字讀數(shù)的質(zhì)量流量控制器MFC;

定制氣體噴淋裝置;
控制系統(tǒng):PLC控制系統(tǒng);