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Si Epi

Si

size

3-8”

Type

P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+

Epi Resistivity (Ω*cm)

0.001-1500

Homogeneity

<6%

Epi Thickness  ( μm)

0.1-200

Homogeneity

<10%

R-Sapphire

(SOS)

size

EPI Thickness (um)

EPI Res.(ohm.cm)

150 mm (6”)

0.3

>30

100 mm (4”)

0.3,0.6

>30

5-30

2.5-10

76 mm (3”)

0.6-5

0.003-0.025

GaN/SiC Epi

C-Sapphire

EPI  Type

N型(摻Si)、P型(摻Mg)、不摻雜

Standard size

2”

Sapphire Thickness (um)

430

EPI Thickness (um)

3-9um

Si/SiC

4-6” GaN Epi on Si /SiC

4-6” SiC Epi on SiC

LED/LD Epi

GaAs

2", 2 um AlInP EPI layer on GaAs substrate

典型波長(zhǎng)：

792nm、808nm、825nm、880nm、915nm、940nm、976nm、980nm、1060nm、1550nm?？芍谱?/span>2W和4W器件。

可以提供LED級(jí)別的，2寸紅光，藍(lán)光，綠光外延片。擁有MBE、MOCVD工藝，按客戶(hù)要求定制苛刻要求的各種GaAs基，InP基，Si基等復(fù)雜結(jié)構(gòu)的外延。

可提供PL、X-ray、ECV檢測(cè)報(bào)告。

2" AlGaAs on GaAs(N-type i-doped)  substrate
EPI: Al(x)Ga(1-x)As， x=0.15

3"  structure is from bottom to top 
GaAs(100)~200nm In0.5Ga0.5P~1400nm GaAs~320nmAI0.2Ga0.8As~30nmGaAs

InP

2" /InP/ undoped

2", 2 um InGaAs EPI layer on InP substrate

InP / 1.8 micron / undoped

In(0.53)Ga(0.47)As/300 nm / p-type 1e18 cm-3

InP substrate / 350 micron / undoped