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北京特博萬(wàn)德科技
砷化鎵晶片GaAs

砷化鎵晶片GaAs

北京特博萬(wàn)德科技有限公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)定制高質(zhì)量砷化鎵襯底片GaAs wafer、多晶棒。
尺寸：1 " ，2" ，3"，4"，6" ；
 晶向：（100）,（111）和偏2°、4°、6°、10°、16°等各種偏角；
 類(lèi)型：N- type 摻Si， P- type 摻Zn，半絕緣Undope；
 厚度：100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um；

 提供“激光領(lǐng)域” 用高質(zhì)量 超薄雙拋GaAs ；提供光學(xué)透過(guò)可用的雙拋半絕緣GaAs ；
 提供高質(zhì)量低位錯(cuò)的EPD<500、<300、<100、＜50 的高質(zhì)量LD級(jí)外延用GaAs；
 工藝加工：鍍?cè)鐾改?、鍍金等歐姆接觸、砷化鎵電池、砷化鎵外延（PN結(jié)、LED各色外延、LD激光器）。


￥ 0.00
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商品描述

北京特博萬(wàn)德科技有限公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)定制高質(zhì)量砷化鎵襯底片GaAs wafer、多晶棒。
尺寸：1 " ，2" ，3"，4"，6" ；
 晶向：（100）,（111）和偏2°、4°、6°、10°、16°等各種偏角；
 類(lèi)型：N- type 摻Si， P- type 摻Zn，半絕緣Undope；
 厚度：100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um；

 提供“激光領(lǐng)域” 用高質(zhì)量 超薄雙拋GaAs ；提供光學(xué)透過(guò)可用的雙拋半絕緣GaAs ；
 提供高質(zhì)量低位錯(cuò)的EPD<500、<300、<100、＜50 的高質(zhì)量LD級(jí)外延用GaAs；
 工藝加工：鍍?cè)鐾改?、鍍金等歐姆接觸、砷化鎵電池、砷化鎵外延（PN結(jié)、LED各色外延、LD激光器）。


Parameter

Guaranteed / Actual Values

UOM

Parameter

Guaranteed / Actual Values

UOM

Growth Method:

VGF

 

Growth Method:

VGF

 

Conduct Type:

S-I-N

 

Conduct Type:

S-I-N

 

Dopant:

Undoped

 

Dopant:

Undoped

 

Diameter:

50.7± 0.1

mm

Diameter:

100.0± 0.2

mm

Orientation:

(100)± 0.50

 

Orientation:

(100)± 0.30

 

OF location/length:

EJ [ 0-1-1]± 0.50/16±1

 

OF location/length:

EJ [ 0-1-1]± 0.50/32.5±1

 

IF location/length:

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1

 

IF location/length:

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/18±1

 

Resistivity:

Min: 1.0 E8

Max: 2.2 E8

?·cm

Resistivity:

Min: 1.5 E8

Max: 2.0 E8

?·cm

Mobility:

Min: 4500

Max: 5482

cm2/v.s

Mobility:

Min: 4832

Max: 4979

cm2/v.s

EPD:

Min: 700

Max: 800

/ cm2

EPD:

Min: 600

Max: 700

/ cm2

Thickness:

350± 20

μm

Thickness:

625± 25

μm

Edge Rounding:

0.25

mmR

Edge Rounding:

0.375

mmR

Laser Marking:

N/A

 

 

 

 

TTV/TIR:

Max: 10

μm

TTV/TIR:

Max: 3

μm

BOW:

Max: 10

μm

BOW:

Max: 4

μm

Warp:

Max: 10

μm

Warp:

Max: 5

μm

Partical  Count:

＜50/wafer(for particle>0.3um)

 

Partical  Count:

＜100/wafer(for particle>0.3um)

 

Surface Finish– front:

Polished  

 

Surface Finish– front:

Polished  

 

Surface Finish –back:

Etched

 

Surface Finish –back:

Polished

 

Epi-Ready:

Yes

 

Epi-Ready:

Yes

Parameter

Actual Values

UOM

Parameter

Guaranteed / Actual Values

UOM

Growth Method

VGF

 

Growth Method

VGF

 

Conduct Type

S-C-N

 

Conduct Type

S-C-P

 

Dopant

GaAs-Si

 

Dopant

GaAs-Zn

 

Diameter

50.7± 0.1

mm

Diameter

76.2± 0.3

mm

Orientation

(100) 20 ± 0.50 off toward(011)

 

Orientation

(100)± 0.50

 

OF location/length

EJ [ 0-1-1]± 0.50/16±1

  

OF location/length

EJ [ 0-1-1]± 0.50/22±1

  

IF location/length

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/ 7±1

         

IF location/length

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/12±1

         

Ingot CC

Min: 0.518 E  Max: 1.7 E+18

/cm3

Ingot CC

Min: 5.1 E+19  Max: 5.8 E+19

/cm3

Resistivity

Min: 1.9 E-3  Max:6.1E-3

?·cm

Resistivity

Min: N/A

?·cm

Mobility

Min: 1913    Max:2616

cm2/v.s

Mobility

Min: 71    Max: 72

cm2/v.s

EPD

Min:50      Max: 100

/ cm2

EPD

Min: 600   Max: 800

/cm2

Thickness

350±20

μm

Thickness

625±20

μm

Edge Rounding

0.25

mmR

Edge Rounding

0.25

mmR

Laser Marking

N/A

 

Laser Marking

Front side

 

TTV

＜10

μm

TTV

＜ 15

μm

TIR

＜10

μm

TIR

＜ 15

μm

BOW

＜10

μm

BOW

＜ 15

μm

Warp

＜10

μm

Warp

＜ 15

μm

Surface Finish– front

Polished   

 

Surface Finish– front

Polished   

 

Surface Finish –back

Etched

 

Surface Finish –back

Polished  

 

Partical Count

＜50/ wafer （for particle＞ 0.3μm)

 

Partical Count

＜50/ wafer （for particle＞ 0.3μm2)

 

Epi-Ready

Yes

 

Epi-Ready

Yes