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離子注入機(jī)
北京特博萬(wàn)德代理 法國(guó)IBS公司-離子注入機(jī)。
法國(guó)IBS公司成立于1987年，在近30年的時(shí)間里，一直致力于離子注入領(lǐng)域的研發(fā)、設(shè)計(jì)制造與服務(wù)。并不斷升級(jí)和提高在該領(lǐng)域的技術(shù)水平。在IBS法國(guó)，公司的創(chuàng)始人是來(lái)自法國(guó)軍方的技術(shù)專家，在他帶領(lǐng)下，整個(gè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)對(duì)技術(shù)更新的熱枕大于市場(chǎng)運(yùn)作的努力，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)驼{(diào)的作風(fēng)保證了設(shè)備的高質(zhì)量和超強(qiáng)的穩(wěn)定性。盡管如此，IBS公司在世界范圍內(nèi)已經(jīng)銷售超過(guò)100臺(tái)注入機(jī)，可以預(yù)見(jiàn)在未來(lái)幾年，IBS產(chǎn)品必將在離子注入領(lǐng)域成為無(wú)可匹敵的競(jìng)爭(zhēng)者。
產(chǎn)品有多種型號(hào)包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客戶要求設(shè)計(jì)定制的能力。
主要用于半導(dǎo)體微電子襯底材料摻雜，在晶圓上注入B、P、As等元素，并且具備升級(jí)注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能。
北京特博萬(wàn)德代理 法國(guó)IBS公司-離子注入機(jī)。
法國(guó)IBS公司成立于1987年，在近30年的時(shí)間里，一直致力于離子注入領(lǐng)域的研發(fā)、設(shè)計(jì)制造與服務(wù)。并不斷升級(jí)和提高在該領(lǐng)域的技術(shù)水平。在IBS法國(guó)，公司的創(chuàng)始人是來(lái)自法國(guó)軍方的技術(shù)專家，在他帶領(lǐng)下，整個(gè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)對(duì)技術(shù)更新的熱枕大于市場(chǎng)運(yùn)作的努力，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)驼{(diào)的作風(fēng)保證了設(shè)備的高質(zhì)量和超強(qiáng)的穩(wěn)定性。盡管如此，IBS公司在世界范圍內(nèi)已經(jīng)銷售超過(guò)100臺(tái)注入機(jī)，可以預(yù)見(jiàn)在未來(lái)幾年，IBS產(chǎn)品必將在離子注入領(lǐng)域成為無(wú)可匹敵的競(jìng)爭(zhēng)者。
產(chǎn)品有多種型號(hào)包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客戶要求設(shè)計(jì)定制的能力。
主要用于半導(dǎo)體微電子襯底材料摻雜，在晶圓上注入B、P、As等元素，并且具備升級(jí)注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能。
型號(hào) | IMC200 | 型號(hào) | PULSION |
應(yīng)用 | 設(shè)備主要用于半導(dǎo)體微電子襯底材料摻雜，在晶圓上注入B、P、As等元素，并且具備升級(jí)注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能 | 優(yōu)勢(shì) | ü3D浸沒(méi)式全方位離子注入，不受形狀、大小、表面狀態(tài)限制 ü可靠性高，氣體消耗量低，易于維護(hù)，成本低； ü獨(dú)特的脈沖等離子體配置和偏振技術(shù)，所需能量低，電流輸入輸出能力高，工藝穩(wěn)定性高，可以實(shí)現(xiàn)保形處理； ü能夠以較小的占地面積處理大型部件； ü工藝時(shí)間短：工藝時(shí)間與待注入的機(jī)械部件的大小無(wú)關(guān)，即使要求的注入量非常高； ü可按照用戶要求定制； ü有全自動(dòng)、工程和手動(dòng)模式，工程和手動(dòng)模式下可人為控制單步驟工藝； ü工藝recipe可編輯，工藝參數(shù)可監(jiān)測(cè)、控制和記錄，可查看報(bào)警歷史。 |
注入晶圓尺寸 | 6英寸，兼容5、4、3、2英寸，不規(guī)則小片，最小可注入1 cm2的樣品。 | 原理 | 把要處理的部件放在真空室中的夾具上，并完全浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中。當(dāng)夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負(fù)電壓時(shí)，開(kāi)始注入。 |
注入能量范圍 | 單價(jià)離子30KeV～200KeV，可升級(jí)二價(jià)/三價(jià)離子注入，注入能量可升級(jí)到400 KeV/600 KeV。 | 應(yīng)用 | ü改善表面機(jī)械性能，減少磨損、摩擦力和金屬疲勞； ü提高表面耐腐蝕、耐化學(xué)、耐高溫性能； ü改變表面理化性能如表面能、粘附性等； ü提高生物相容性； ü逸出功工程； ü用于高級(jí)存儲(chǔ)器和硅基光電學(xué)的納米沉淀和納米結(jié)構(gòu)； ü加氫（Hydrogenation），吸氣（gettering）。 |
注入角度 | 0°、7°，可通過(guò)手動(dòng)更換夾具的方式來(lái)改變注入角度。 | 加速電壓 | 1 kV ~ 10 kV |
注入劑量范圍 | 1×1011 at/cm2 ～ 1×1018 at/cm2 | 標(biāo)準(zhǔn)注入電流 | 5 mA ~ 100 mA (N2) |
注入均勻性 | ü4”片內(nèi)、片間1σ ≤ 1.0 % （注入條件：4英寸硅片，1000 ?氧化層，11B，注入能量100KeV，注入劑量1×1014 at/cm2.）； ü6”片內(nèi)、片間1σ ≤ 1.0 %（注入條件：6英寸硅片，1000 ?氧化層，11B，注入能量100KeV，注入劑量1×1014 at/cm2） | 標(biāo)準(zhǔn)注入時(shí)間 | 30 min ~ 3 h |
真空度 | ü離子源：≥ 2×10-6 mbar（2 x10-4 Pa）； ü束流管：≥ 7×10-7 mbar（7x10-5 Pa）； ü 靶室：≥ 7×10-7 mbar（7x10-5Pa）； ü離子源真空系統(tǒng)初真空泵為化學(xué)干泵，高真空泵為渦輪分子泵；束流管及終端真空系統(tǒng)初真空泵為干泵，高真空泵為冷泵。 | 可注入選項(xiàng) | N, C, O, Ar, H, He, F, Ge, Si... |
最大注入束流 | ü11B單價(jià)離子：≥ 600μA； ü 31P單價(jià)離子：≥ 1500μA； ü75As單價(jià)離子：≥ 1500μA。 （注入條件：6”晶圓，注入能量120KeV～200KeV）。 | 注入部件尺寸 | ≤ 400 mm×400 mm×200 mm |
離子源氣路系統(tǒng) | 包含5路氣體：BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有氣路系統(tǒng)都集成在機(jī)器里面，能實(shí)時(shí)監(jiān)控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點(diǎn)探測(cè)技術(shù)。 | 輻射 | 在任意外部屏蔽點(diǎn)10 cm處< 0.6 μSv/h |
軟件功能 | 包括但不限于：權(quán)限管理、參數(shù)管理、手動(dòng)控制、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)記錄、報(bào)警管理等。軟件可根據(jù)需求免費(fèi)更新升級(jí)。 | 注入劑量范圍 | 1E14 at/cm2 ~1E18 at/cm2 |
腔室氣壓 | < 5×10-6 mbar | ||
設(shè)備尺寸 | 1.6×2.15×2.3m（標(biāo)準(zhǔn)型）；2.15×2.15×2.3m（加大型） | ||
輻射 | 在任意外部屏蔽點(diǎn)10 cm處< 0.6 μSv/h | ||
注入劑量范圍 | 1E14 at/cm2 ~1E18 at/cm2 | ||
離子輻射滿足國(guó)際相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)，具有CE認(rèn)證。 | |||